အဆောက်အအုံများတွင်ဆုံးရှုံးခဲ့ရသောစွမ်းအင်၏ 60% ခန့်သည် 0 င်းဒိုးသည်အထောက်အကူပြုသည်။ ပူပြင်းသည့်ရာသီဥတုတွင်ပြတင်းပေါက်များကိုအပြင်ဘက်မှအပူပေးပြီးအဆောက်အအုံထဲသို့အပူစွမ်းအင်ကိုထုတ်လွှတ်သည်။ အပြင်ဘက်တွင်အေးသောအခါ, ပြတင်းပေါက်များသည်အတွင်းပိုင်းမှအပူ ပေး. အပြင်ဘက်ပတ် 0 န်းကျင်ကိုအပူပေးသည်။ ဤလုပ်ငန်းစဉ်ကို Radiative Cooling ဟုခေါ်သည်။ ဆိုလိုသည်မှာ Windows သည်အဆောက်အအုံကိုနွေးထွေးစေခြင်းသို့မဟုတ်အေးမြသောအနေဖြင့်မထိရောက်စေရန်ထိရောက်မှုမရှိပါ။

အပူချိန်ပေါ် မူတည်. ဤဓါတ်ရောင်ခြည်အအေးခံသောအကျိုးသက်ရောက်မှုကိုဖွင့်နိုင်သည့်ဖန်ခွက်တစ်ခုတည်ဆောက်ရန်ဖြစ်နိုင်ပါသလား။ အဖြေကဟုတ်တယ်။

Wiedemann-Franz ဥပဒေက၎င်းရုပ်ပစ္စည်း၏လျှပ်စစ်စီးကူးမှုပိုကောင်းလေလေစွမ်းကူးယူမှုပိုကောင်းလေလေဖြစ်သည်ဟုဖော်ပြထားသည်။ သို့သော်ဗန်နာဒီယမ်ဒိုင်အောက်ဆိုဒ်ပစ္စည်းသည်ဤဥပဒေကိုမလိုက်နာသောခြွင်းချက်တစ်ခုဖြစ်သည်။

သုတေသီများကဗန်နာဒီယိုဒိုင်အောက်ပိုင်းအလွှာသည်လျှပ်စစ်ကစားသူထံမှ 68 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်တွင် conductor တစ်ခုသို့ပြောင်းလဲသည့်ဒြပ်ပေါင်းတစ်ခု၏အပိုဒိုင်ဖယ်ဒိုက်၏အလွှာကိုထည့်လိုက်သည်။ဗန်ဒရီယမ်ဒိုင်အောက်ဆိုက် (VO2)ပုံမှန်အပူရှိသောအဆင့်အကူးအပြောင်း Properties နှင့်အတူအလုပ်လုပ်တဲ့ပစ္စည်းဖြစ်ပါတယ်။ ၎င်း၏ shape သုက်ပိုးပုံသဏ္ဌာန်ကို insulator နှင့်သတ္တုအကြားပြောင်းလဲနိုင်သည်။ ၎င်းသည်အခန်းအပူချိန်တွင်အပြင် 68 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်အထက်အပူချိန်တွင်သတ္တုကိုယ်ထည်အနေဖြင့်ပြုလုပ်သည်။ ၎င်းသည်၎င်း၏အက်တမ်အဆောက်အအုံသည်အခန်းအပူချိန်ကျောက်စိမ်းဖွဲ့စည်းပုံမှ 68 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်အထက်အပူချိန်တွင်သတ္တုဖွဲ့စည်းပုံတစ်ခုမှသတ္တုဖွဲ့စည်းပုံတစ်ခုသို့ပြောင်းလဲနိုင်ပြီးအသွင်ကူးပြောင်းမှုသည်အီလက်ထရောနစ် application များအတွက်အားသာချက်တစ်ခုဖြစ်သည်။ ဆက်စပ်သုတေသနပြုချက်အရလူအများစုကဗောဒ်ဒက်ဒီယဒ်ဒိုင်အောက်ဆိုဒ်သည်အနာဂတ်အီလက်ထရွန်နစ်လုပ်ငန်းအတွက်တော်လှန်ရေးသမားများဖြစ်လာနိုင်သည်ဟုလူအများကယုံကြည်ရန် ဦး ဆောင်ခဲ့သည်။

ဆွစ်တက္ကသိုလ်မှသုတေသီများသည်ဗန်နာဒီယန်၏အသွင်ကူးပြောင်းမှုအပူချိန်ကို 100 ဒီဂရီစင်တီမီတာကိုဗန်နာဒီယဒ်ဒိုင်အောက်ပိုင်းဒိုင်အောက်ဟို့သားကိုဗန်ဒနာဒေးဒ်ဒိုင်အောက်ဟူသို့ထည့်သွင်းခြင်းဖြင့်လေယာဉ်ကူးယူခြင်း သူတို့က RF applications မှာ RF applications မှာအောင်မြင်မှုရပြီး Phase-change switching techning ကိုပထမဆုံးအကြိမ်အနေနဲ့ Ultra-compact switching techning techning ကိုပထမဆုံးအကြိမ်ဖန်တီးရန် Phase-change switching technology ကိုအသုံးပြုသည်။ ဤအမျိုးအစားအသစ်အမျိုးအစားသည် Space Compacencess စနစ်များအသုံးပြုသောကြိမ်နှုန်းအကွာအဝေးအတွက်အထူးသင့်တော်သည်။

ထို့အပြင်ထော့်းးရောင်ထွေးခြင်းနှင့်အနီအောက်ရောင်ခြည်ဖြင့်ကူးပြောင်းခြင်းကဲ့သို့သောဗန်နာဒီယမ်၏ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာဂုဏ်သတ္တိများသည်အသွင်ပြောင်းလုပ်ငန်းစဉ်အတွင်းအကြီးအကျယ်ပြောင်းလဲသွားလိမ့်မည်။ သို့သော် VO2 လျှောက်လွှာအများအပြားသည်အပူချိန်မြင့်မားသောအခန်းအပူချိန်အနီးရှိအခန်းအပူချိန်အနီးတွင်ရှိရန်လိုအပ်သည်။ VO2 ရုပ်ရှင်တွင် doping tungsten ဒြပ်စင်သည်ရုပ်ရှင်၏အသွင်ကူးပြောင်းမှုအပူချိန်ကိုအခန်းအပူချိန်နှင့် ပတ်သတ်. လျှော့ချနိုင်သည်။

ဗန်နာဒီယဒ်၏အသွင်ကူးပြောင်းမှု, စိတ်ဖိစီးမှု, စပါးအရွယ်အစားစသဖြင့် doping elements များကို dopten ဒိုနိုဒိုနိုဒိုနိုဒိုနိုမှအပူချိန်ကိုချိန်ညှိနိုင်သည်။ Tungsten doping ကိုထိရောက်သော doping method အဖြစ်သတ်မှတ်ပြီးအဆင့်အသွင်ကူးပြောင်းမှုအပူချိန်ကိုထိန်းညှိရန်ကျယ်ပြန့်စွာအသုံးပြုသည်။ Doping 1% tungsten သည်ဗန်နာဒီယဒ်၏အသွင်ကူးပြောင်းမှုအပူချိန်ကို 24 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်မှ 24 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်အထိလျှော့ချနိုင်သည်။

စင်ကြယ်သော phase nano-vanadium dioxide နှင့် tungsten doped vandoium ဒိုင်အောက်ဆိုက် Daded Vanadium Dioxide Dioxide Dioxide Dioxide dioxide dioxide အောက်ပါအတိုင်းဖြစ်သည်။

1 ။ Nano Vanadium Dioxide, undoped, စင်ကြယ်သောအဆင့်, အဆင့်အကူးအပြောင်းအပူချိန် 68 ℃

2 ။ ဗန်ဒီးယမ်ဒိုင်အောက်ဆိုက် 1% tungsten (W1% -vo2), အဆင့်အကူးအပြောင်းအပူချိန် 43 ℃

3 ။ Vanadium ဒိုင်အောက်ဆိုဒ်သည် 1.5% tungsten (W1.5% -vo2) နှင့်အတူ doped (W1.5% -vo2), အဆင့်အကူးအပြောင်းအပူချိန်မှာ 32 ℃ဖြစ်သည်

4 ။ Vanadium ဒိုင်အောက်ဆိုက် 2% tungsten (w2% -vo2) နှင့်အတူ doped (W2% -vo2), အဆင့်အကူးအပြောင်းအပူချိန် 25 ℃

5 ။ Vanadium ဒိုင်အောက်ဆိုဒ်သည် 2% tungsten (w2% -vo2) နှင့်အတူ doped (W2% -vo2), အဆင့်အကူးအပြောင်းအပူချိန် 20 ℃ဖြစ်သည်

မဝေးတော့တဲ့အနာဂတ်ကိုမျှော်လင့်နေတဲ့ဒီစမတ်ကျတဲ့ပြတင်းပေါက်များ Tungsten-Doped Vanadium Dioxide Dioxide နှင့်အတူတပ်ဆင်ထားပြီးတစ်နှစ်ပတ်လုံးအလုပ်လုပ်နိုင်သည်။