၏အဆင့်အကူးအပြောင်းအပူချိန်Tungsten-doped Vanadium ဒိုင်အောက်ဆိုဒ်(W-VO2) အဓိကအားဖြင့် Tungsten အကြောင်းအရာပေါ်တွင်မူတည်သည်။ တိကျသောအဆင့်အသွင်ကူးပြောင်းမှုအပူချိန်သည်စမ်းသပ်အခြေအနေများနှင့်အလွိုင်းရေးစပ်သီOOများပေါ် မူတည်. ကွဲပြားနိုင်သည်။ ယေဘုယျအားဖြင့် Tungsten အကြောင်းအရာတိုးပွားလာသည်နှင့်အမျှဗန်နာဒီယမ်၏အသွင်ကူးပြောင်းမှုအပူချိန်ကို dioxide ကျဆင်းသွားသည်။

Hongwu သည် W-VO2 ၏ 0 န်ကြီးဌာနနှင့်၎င်းတို့၏သက်ဆိုင်ရာအဆင့်အသွင်ကူးပြောင်းမှုအပူချိန်များကိုထောက်ပံ့ပေးသည်။

Perior VO2: အကူးအပြောင်းအပူချိန် 68 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်ဖြစ်သည်။

1% w-doped vo2: အဆင့်အကူးအပြောင်းအပူချိန် 43 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်ဖြစ်ပါတယ်။

1.5% W-doped vo2: အဆင့်အကူးအပြောင်းအပူချိန် 30 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်ဖြစ်သည်။

2% W-doped vo2: အဆင့်အကူးအပြောင်းအပူချိန်သည် 20 မှ 25 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်အထိရှိသည်။

Tungsten-doped Vanadium Dioxide ၏ application များ -

1 ။ အပူချိန်အာရုံခံကိရိယာများ - Tungsten Doping သည် Vanadium Dioxide ၏အသွင်ကူးပြောင်းမှု၏အပူချိန်အပူချိန်ကိုညှိနှိုင်းရန်ခွင့်ပြုသည်။ ၎င်းသည် tungsten-doped vo2 ကိုအပူချိန်အကွာအဝေးအတွင်းရှိအပူချိန်ပြောင်းလဲမှုများကိုစောင့်ကြည့်ရန်အပူချိန်အာရုံခံကိရိယာများအတွက်သင့်တော်စေသည်။

2 ။ ကုလားကာများနှင့်စမတ်ဖန်ခွက် - tungsten-doped vo2 ကိုထိန်းထားနိုင်သောကုလားကာများနှင့်စမတ်ဖန်ခွက်များကိုထိန်းချုပ်နိုင်သောအလင်းဖြင့်ပြုလုပ်နိုင်သည်။ မြင့်မားသောအပူချိန်မြင့်မားသောကြောင့်ပစ္စည်းသည်အလင်းရောင်စုပ်ယူမှုနှင့်အနိမ့်အနိမ့်အနိမ့်အနိမ့်ဆုံးနှင့်သတ္တုအဆင့်ရှိသည့်သတ္တုအဆင့်ကိုပြသသည်။ အပူချိန်ကိုညှိခြင်းအားဖြင့်အလင်းကူးခြင်းအပေါ်တိကျသောထိန်းချုပ်မှုကိုအောင်မြင်နိုင်သည်။

3 ။ optical switches နှင့် modulator များ - Tungsten Doped Vanadium Dadium Dadium ဒိုင်အောက်ဆိုဒ်ကိုသတ္တုပြားများအသွင်ကူးပြောင်းမှုအကူးအပြောင်းအပြုအမူသည် optical switches နှင့် modulator များအတွက် အသုံးပြု. အသုံးပြုနိုင်သည်။ အပူချိန်ကိုညှိခြင်းအားဖြင့်အလင်းကိုဖြတ်သန်းခြင်းသို့မဟုတ်ပိတ်ဆို့ခြင်း, optical signal switching နှင့် modication ကိုဖွင့်ရန်, ပိတ်ဆို့ရန်ခွင့်ပြုနိုင်သည်။

4 ။ thermoelectric devices များ - Tungsten Doping သည်လျှပ်စစ်စီးကူးလုပ်ငန်းနှင့်ဗန်နာဒီယိုဒိုင်အောက်ဆိုက်ခြင်းအတွက်အပူစီးဆင်းမှုကိုပြုပြင်ပြောင်းလဲခြင်း, စွမ်းအင်ရိတ်သိမ်းခြင်းနှင့်ပြောင်းလဲခြင်းအတွက်စွမ်းဆောင်ရည်မြင့်သော topoelectric devices များကိုလုပ်ပိုင်ခွင့်တပ်ဆင်ရန် Tungsten Doped VO2 ကိုပြုလုပ်နိုင်သည်။

5 ။ Ultrafast optical devices: tungsten doped vanadium ဒိုင်အောက်ဆိုဒ်သည်အဆင့်အကူးအပြောင်းလုပ်ငန်းစဉ်အတွင်း Ultrafast Optical Response ကိုပြသသည်။ ၎င်းသည် Ultrafast optical switic switch နှင့် Laser modulators စသည့် Ultrafast optical devices များထုတ်လုပ်ခြင်းအတွက်သင့်လျော်စေသည်။