Semiconductor Gas Sensor အတွက် နီကယ်အောက်ဆိုဒ် Nanopowder Ni2O3 Nanoparticle

လျှောက်လွှာNickelic Oxide Nanopowder ၏

Ni2O3 နာနိုအမှုန်အရွယ်အစား ကျဆင်းလာသည်နှင့်အမျှ သီးခြားမျက်နှာပြင်ဧရိယာ တိုးလာကာ မျက်နှာပြင်ပေါ်ရှိ အက်တမ်အရေအတွက် တိုးလာကာ မျက်နှာပြင်အက်တမ်ညှိနှိုင်းမှုသည် dangling bonds နှင့် unsaturated bonds အများအပြားကြောင့် ဖြစ်ပေါ်လာသောကြောင့်၊ nanoparticles များသည် မြင့်မားသော မျက်နှာပြင်လှုပ်ရှားမှုကို ဖြစ်စေသည်၊ အလင်းပြင်းအား၊ အပူချိန်၊ လေထု၊ ဓာတ်ငွေ့အာရုံခံကိရိယာများထုတ်လုပ်ရန် ဓာတ်ငွေ့အာရုံခံကိရိယာများထုတ်လုပ်ရန်အတွက် အလွန်ထိခိုက်လွယ်ပြီး ပတ်ဝန်းကျင်နှင့် အလွန်ထိခိုက်လွယ်သည်။ Ni2O3 သည် P-type semiconductor gas-sensing material အမျိုးအစားအသစ်ဖြစ်သည်။ N-type semiconductor gas-sensitive ပစ္စည်းများနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက Ni2O3 ဓာတ်ငွေ့ sensitivity အတော်လေးနည်းသည်၊ အဓိကအားဖြင့် NiO သည် hole conduction၊ လျှော့ချပြီးနောက် လောင်ကျွမ်းနိုင်သော gas hole ၏ adsorption၊ resistance တိုးလာသည်၊ Ni2O3 ကိုယ်တိုင်ကလည်း ခံနိုင်ရည်အတော်လေးမြင့်မားပါသည်။ သို့သော် NiO ပစ္စည်း၏တည်ငြိမ်မှုသည်ကောင်းမွန်သည်၊ လောင်ကျွမ်းနိုင်သောဓာတ်ငွေ့အာရုံခံကိရိယာတွင်အောင်မြင်မှုရရှိရန်မျှော်လင့်ထားသည်။

သိုလှောင်မှုNi2O3 နာနိုအမှုန်များ၏

Nano Ni2O3 ကို နေရောင်ခြည် တိုက်ရိုက်မထိတွေ့ဘဲ ခြောက်သွေ့အေးမြသော ပတ်ဝန်းကျင်တွင် အလုံပိတ် သိမ်းဆည်းထားသင့်သည်။