1% टंगस्टन डोपेड भ्यानेडियम डाइअक्साइड पाउडर W-VO2 कण

टंगस्टन डोपेड भ्यानेडियम डाइअक्साइड पाउडरको विशिष्टता:

कण आकार: 5-6um

शुद्धता: 99%+

रंग: खैरो कालो

टंगस्टन डोपिङ अनुपात: 1-2% बाट समायोज्य

चरण संक्रमण तापमान: लगभग 20-68 ℃ बाट समायोज्य

सम्बन्धित सामग्री: शुद्ध VO2 न्यानोपाउडर

W डोपेड भ्यानेडियम डाइअक्साइड (W-VO2) पाउडर को आवेदन:

नानो भ्यानेडियम डाइअक्साइड (VO2) लाई भविष्यको इलेक्ट्रोनिक्स उद्योगको लागि क्रान्तिकारी सामग्रीको रूपमा स्वागत गरिन्छ।यसको मुख्य गुणहरू मध्ये एक यो हो कि यो कोठाको तापक्रममा इन्सुलेटर हो, तर यसको परमाणु संरचना कोठाको तापमान क्रिस्टल संरचनाबाट धातुमा परिवर्तन हुनेछ जब तापमान 68 ℃ भन्दा बढी हुन्छ।मेटल-इन्सुलेटर ट्रान्जिसन (MIT) को रूपमा चिनिने यो अनौठो गुणले कम पावर इलेक्ट्रोनिक यन्त्रहरूको नयाँ पुस्ताको लागि सिलिकन प्रतिस्थापन गर्नको लागि यो एक आदर्श उम्मेद्वार बनाउँछ।

हाल, अप्टोइलेक्ट्रोनिक उपकरणहरूमा VO2 सामग्रीको आवेदन मुख्यतया पातलो फिल्म स्थितिमा छ, र यो इलेक्ट्रोक्रोमिक उपकरणहरू, अप्टिकल स्विचहरू, माइक्रोब्याटरीहरू, ऊर्जा बचत कोटिंग्स, स्मार्ट विन्डोजहरू, र माइक्रोबोलोमेट्रिक उपकरणहरू जस्ता विभिन्न क्षेत्रहरूमा सफलतापूर्वक लागू गरिएको छ।भ्यानेडियम डाइअक्साइडको प्रवाहकीय गुणहरूले यसलाई अप्टिकल उपकरणहरू, इलेक्ट्रोनिक उपकरणहरू र अप्टोइलेक्ट्रोनिक उपकरणहरूमा सम्भावित अनुप्रयोगहरूको विस्तृत श्रृंखला दिन्छ।

किन टंगस्टन डोपिङ?

चरण परिवर्तन कम गर्नचरण संक्रमण तापमान.

भण्डारण अवस्था:

W-VO2 पाउडरहरू सुक्खा, चिसो वातावरणमा बन्द गरी राख्नुपर्छ, प्रकाशबाट टाढा भण्डारण गर्नुपर्छ।

(2% W-VO2 को DSC)