को चरण संक्रमण तापमानtungsten-doped vanadium डाइअक्साइड(W-VO2) मुख्यतया टंगस्टन सामग्रीमा निर्भर गर्दछ। विशिष्ट चरण संक्रमण तापमान प्रयोगात्मक अवस्था र मिश्र धातु रचनाहरूमा निर्भर हुन सक्छ। सामान्यतया, टंगस्टन सामग्री बढ्दै जाँदा, भ्यानेडियम डाइअक्साइडको चरण संक्रमण तापमान घट्छ।

HONGWU ले W-VO2 को धेरै रचनाहरू र तिनीहरूसँग सम्बन्धित चरण संक्रमण तापमानहरू प्रदान गर्दछ:

शुद्ध VO2: चरण संक्रमण तापमान 68 डिग्री सेल्सियस छ।

1% W-doped VO2: चरण संक्रमण तापमान 43°C हो।

1.5% W-doped VO2: चरण संक्रमण तापमान 30°C हो।

2% W-doped VO2: चरण संक्रमण तापमान 20 देखि 25 डिग्री सेल्सियस सम्म हुन्छ।

टंगस्टन-डोपेड भ्यानेडियम डाइअक्साइडको आवेदन:

1. तापमान सेन्सरहरू: टंगस्टन डोपिङले भ्यानेडियम डाइअक्साइडको चरण संक्रमण तापमान समायोजनको लागि अनुमति दिन्छ, यसले कोठाको तापक्रम नजिकै धातु-इन्सुलेटर संक्रमण प्रदर्शन गर्न सक्षम पार्छ। यसले टंगस्टन-डोपेड VO2 लाई तापमान सेन्सरहरूको लागि उपयुक्त बनाउँछ जुन एक विशिष्ट तापमान दायरा भित्र तापमान परिवर्तनहरू निगरानी गर्न सकिन्छ।

2. पर्दा र स्मार्ट गिलास: Tungsten-doped VO2 लाई समायोज्य पर्दा र नियन्त्रणयोग्य प्रकाश प्रसारणको साथ स्मार्ट गिलास सिर्जना गर्न प्रयोग गर्न सकिन्छ। उच्च तापक्रममा, सामग्रीले उच्च प्रकाश अवशोषण र कम ट्रान्समिटेन्सको साथ एक धातु चरण प्रदर्शन गर्दछ, जबकि कम तापमानमा, यसले उच्च प्रसारण र कम प्रकाश अवशोषणको साथ इन्सुलेट चरण प्रदर्शन गर्दछ। तापक्रम समायोजन गरेर, प्रकाश प्रसारणमा सटीक नियन्त्रण प्राप्त गर्न सकिन्छ।

3. अप्टिकल स्विचहरू र मोड्युलेटरहरू: टंगस्टन-डोपेड भ्यानेडियम डाइअक्साइडको धातु-इन्सुलेटर संक्रमण व्यवहार अप्टिकल स्विचहरू र मोड्युलेटरहरूको लागि प्रयोग गर्न सकिन्छ। तापक्रम समायोजन गरेर, प्रकाशलाई अप्टिकल सिग्नल स्विचिङ र मोड्युलेसन सक्षम पारेर वा अवरुद्ध गर्न अनुमति दिन सकिन्छ।

4. थर्मोइलेक्ट्रिक उपकरणहरू: टंगस्टन डोपिङले भ्यानेडियम डाइअक्साइडको विद्युतीय चालकता र थर्मल चालकता दुवै समायोजन गर्न सक्षम बनाउँछ, यसलाई कुशल थर्मोइलेक्ट्रिक रूपान्तरणको लागि उपयुक्त बनाउँछ। Tungsten-doped VO2 ऊर्जा कटाई र रूपान्तरणको लागि उच्च प्रदर्शन थर्मोइलेक्ट्रिक उपकरणहरू बनाउन प्रयोग गर्न सकिन्छ।

5. अल्ट्राफास्ट अप्टिकल उपकरणहरू: टंगस्टन-डोपेड भ्यानेडियम डाइअक्साइडले चरण संक्रमण प्रक्रियाको क्रममा अल्ट्राफास्ट अप्टिकल प्रतिक्रिया देखाउँछ। यसले अल्ट्राफास्ट अप्टिकल यन्त्रहरू, जस्तै अल्ट्राफास्ट अप्टिकल स्विचहरू र लेजर मोड्युलेटरहरूको निर्माणको लागि उपयुक्त बनाउँछ।