Siliciumcarbide heeft uitstekende chemische stabiliteit en goede golfabsorptie-eigenschappen, heeft een breed scala aan materiaalbronnen en lage kosten, en heeft geweldige toepassingsvooruitzichten op het gebied van golfabsorptie.
SiC is een halfgeleidermateriaal met een goede stabiliteit bij hoge temperaturen, weerstand tegen chemische corrosie, uitstekende weerstand tegen oxidatie en een lage thermische uitzettingscoëfficiënt. Het is het meest bestudeerde absorbeermiddel voor hoge temperaturen in binnen- en buitenland.
Bèta-iliconcarbide (SiC) poeder als golfabsorbeerder omvat hoofdzakelijk twee vormen van poeder en vezels.
Een groot specifiek oppervlak, leidend tot verbeterde interfacepolarisatie, speelt een belangrijke rol bij het verbeteren van elektromagnetische parameters en impedantie-matching

De toepassingsgebieden van nano SiC-deeltjes:

1. Veld met coatingmateriaal: veld met militair materiaal; gebied van magnetronapparatuur
2. Het gebied van stralingsbeschermingskleding
3. Gebied van technische kunststoffen

Opslagconditie: