د شیشې تودوخې موصلیت کوټینګ یو پوښ دی چې د یو یا څو نانو پوډر موادو پروسس کولو سره چمتو شوی.کارول شوي نانو توکي ځانګړي نظري ځانګړتیاوې لري، دا په انفراریډ او الټرا وایلیټ سیمو کې د لوړ خنډ کچه لري، او د لیدلو وړ رڼا سیمه کې لوړ لیږد لري.د موادو د شفاف تودوخې موصلیت ملکیتونو په کارولو سره ، دا د چاپیریال دوستانه لوړ فعالیت رال سره مخلوط شوی ، او د ځانګړي پروسس کولو ټیکنالوژۍ لخوا پروسس شوی ترڅو د انرژي سپمولو او چاپیریال دوستانه تودوخې موصلیت کوټینګ چمتو کړي.د شیشې روښانتیا اغیزه نه کولو اساس لاندې ، دا په دوبي کې د انرژي سپمولو او یخولو اغیزه ترلاسه کړې ، او په ژمي کې د انرژي سپمولو او تودوخې ساتنه.

په وروستیو کلونو کې، د چاپیریال دوستانه حرارتي موصلیت موادو نوي ډولونه سپړنه تل د څیړونکو لخوا تعقیب شوي هدف و.دا مواد د شنو ودانیو انرژي سپمولو او د موټرو شیشې تودوخې موصلیت - نانو پاؤډر او د فعال فلم موادو په برخو کې د غوښتنلیک خورا پراخه امکانات لري چې د لید لید لوړ لیږد لري او کولی شي په مؤثره توګه نږدې انفراریډ ر lightا جذب یا منعکس کړي.دلته موږ په عمده توګه د سیزیم ټنګسټن برونزو نانو پارټیکل معرفي کوو.

د اړوندو اسنادو له مخې، شفاف کنډک فلمونه لکه انډیم ټین اکسایډ (ITOs) او د انټيموني-ډوپډ ټین اکسایډ (ATOs) فلمونه د تودوخې موصلیت په شفاف موادو کې کارول شوي، مګر دوی یوازې د 1500nm څخه ډیر د موج اوږدوالی سره نږدې انفراریډ رڼا بندولی شي.د سیزیم ټنګسټن برونز (CsxWO3, 0＜x＜1) د لوړ لید وړ وړانګو لیږد وړتیا لري او کولی شي د 1100nm څخه ډیر د څپې اوږدوالي سره په کلکه د رڼا جذب کړي.د دې معنی دا ده چې د ATOs او ITOs په پرتله ، د سیزیم ټنګسټن برونز د خپل نږدې انفراریډ جذب چوکۍ کې نیلي بدلون لري ، نو دا ډیر او ډیر پام ځانته راجلب کړی.

د سیزیم ټنګسټن برونزو نانو ذراتد وړیا کیریرونو لوړ غلظت او ځانګړي نظری ملکیتونه لري.دوی د لید روښنايي سیمه کې لوړ لیږد او نږدې انفراریډ سیمه کې قوي محافظت اغیزه لري.په بل عبارت، د سیزیم ټنګسټن برونز مواد، لکه د سیزیم ټنګسټن برونزو شفاف تودوخې موصل کوټینګونه، کولی شي د ښه لیدل شوي رڼا لیږد یقیني کړي (پرته له دې چې رڼا اغیزه وکړي) او کولی شي د نږدې انفراریډ رڼا لخوا راوړل شوي ډیری تودوخې ساتنه وکړي.د سیزیم ټنګسټن برونزو سیسټم کې د لوی شمیر وړیا کیریرونو جذب کوفیینټ α د وړیا کیریر غلظت او د جذب شوي څراغ د څپې د مربع سره متناسب دی ، نو کله چې په CsxWO3 کې د سیزیم مینځپانګه زیاته شي ، په CsxWO3 کې د وړیا کیریر غلظت. سیسټم په تدریجي ډول وده کوي، په نږدې انفراریډ سیمه کې د جذب زیاتوالی خورا څرګند دی.په بل عبارت، د سیزیم ټنګسټن برونز نږدې انفراریډ محافظت فعالیت د سیزیم مینځپانګې زیاتوالي سره وده کوي.