ټنګسټن ډوپ نانو وینډیم آکسایډ د ټیټ مرحلې لیږد تودوخې لپاره
ټنګسټن ډوپ نانو وینډیم آکسایډ د ټیټ مرحلې لیږد تودوخې لپاره
مشخصات:
| کوډ | WP501 |
| نوم | ټنګسټن ډوپیډ وینډیم ډای اکسایډ نانوپاوډر |
| فورمول | W-VO2 |
| CAS شمیره | 12036-21-4 |
| د ذرې اندازه | 100-200nm |
| پاکوالی | 99.9% |
| کرسټال ډول | مونوکلینیک |
| بڼه | تور تور |
| بسته | 100g، 500g، 1kg یا د اړتیا سره سم |
| احتمالي غوښتنلیکونه | دا په برخو کې د غوښتنلیکونو پراخه لړۍ لريد ډیمینګ فلم جوړول ، ترمیسټر توکي ، د فوتو الیکټریک سویچ توکي ، د انفراریډ عکس اخیستنې برخې |
تفصیل:
وینډیم ډای اکسایډ یو ترموکرومیک مواد دی.د خالص وینډیم ډای اکسایډ د بدلون درجه 68 ℃ ده، کوم چې د ټولې نړۍ څیړونکو لخوا تایید شوي.برسېره پردې، د VO2 د مرحلې بدلون تودوخه د نانو ټنګسټن په واسطه بدل کیدی شي. یعنې، د مرحلې لیږد تودوخه د کوټې د تودوخې درجه د ډوپینګ ټنګسټن په واسطه کم کیدی شي.
اصلي غوښتنلیک
د تودوخې اتوماتیک تنظیم سره ذہین کړکۍ؛
لیزر محافظتي فلم؛
انفراریډ کشف کونکی؛
د نظری معلوماتو ذخیره کولو مواد، او نور.
د میګنیټرون سپټرینګ په واسطه، د VO2 پتلی فلمونه چې مقاومت یې د دوه ترتیبونو شدت سره توپیر لري په سیلیکون ویفرونو کې ترلاسه شوي. د فلمونو بریښنایی ملکیتونه ازمول شوي.پایلې ښیي چې د ټنګسټن ډوپیډ وینډیم ډای اکسایډ فلم مرحله لیږد تودوخه د خالص وینډیم ډای اکسایډ فلم په پرتله ټیټه ده، او د تونګسټن ډوپیډ وینډیم ډای اکسایډ فلم نږدې انفراریډ لیږد هم کم شوی.
د ذخیره کولو شرایط:
دا محصول باید په وچه، یخ او د چاپیریال سیل کولو کې زیرمه شي، د هوا سره مخ نشي، په تیاره ځای کې وساتئ.برسېره پر دې، د عادي توکو د ترانسپورت مطابق، د درنو فشار څخه ډډه وکړئ.
SEM او XRD:
