Materialele polimerice au avantajele densității scăzute, procesării ușoare și izolației electrice bune.Ele sunt utilizate pe scară largă în domenii precum integrarea și ambalarea microelectronicei, mașinile electrice și economisirea energiei LED.În general, polimerii sunt conducători slabi de căldură.În ceea ce privește materialele izolante, capacitatea lor de disipare a căldurii devine o problemă de blocaj și există o nevoie urgentă de a pregăti materiale compozite polimerice cu conductivitate termică ridicată, cu proprietăți complete excelente.

Carbura de siliciu are caracteristici de rezistență la coroziune, rezistență la temperatură ridicată, rezistență ridicată, conductivitate termică bună, rezistență la impact etc. În același timp, are avantajele conductivității termice ridicate, rezistenței la oxidare și stabilității termice bune.

Cercetătorii au folosit carbură de siliciu ca umplutură conductivă termică pentru a umple epoxidic și au descoperit că carbura de nano-siliciu poate promova întărirea rășinii epoxidice, iar particulele de carbură de siliciu au mai multe șanse să formeze o cale de conducție termică sau un lanț de rețea termică în interiorul sistemului de rășini. , reducând raportul golurilor interne ale rășinii epoxidice și îmbunătățind rășina epoxidice.Conductivitatea mecanică și termică a materialului.

Unele studii au folosit agent de cuplare silan, acid stearic și combinația lor ca modificatori pentru a studia efectele diferiților modificatori asupra conținutului de solid, valorii de absorbție a uleiului și conductivității termice a pulberii de β-SiC.Rezultatele experimentale arată că efectul de modificare a KH564 în agentul de cuplare silan este mai evident;prin studiul acidului stearic și combinarea celor doi modificatori de suprafață, rezultatele arată că efectul de modificare este îmbunătățit în continuare în comparație cu modificatorul unic, iar duritatea este mai mare.Efectul acidului gras și al KH564 este mai bun, iar conductivitatea termică ajunge la 1,46 W/(m·K), care este cu 53,68% mai mare decât cea a β-SiC nemodificat și cu 20,25% mai mare decât cea a modificării KH564 unice.

Mai sus doar pentru referință, detaliile ar avea nevoie de testare, mulțumesc.