Карбид кремния обладает превосходной химической стабильностью и хорошими свойствами поглощения волн, имеет широкий спектр источников материалов, низкую стоимость и имеет большие перспективы применения в области поглощения волн.
SiC — полупроводниковый материал с хорошей стабильностью при высоких температурах, стойкостью к химической коррозии, отличной стойкостью к окислению и низким коэффициентом теплового расширения. Это наиболее изученный высокотемпературный абсорбент в стране и за рубежом.
Порошок бета-карбида кремния (SiC) в качестве поглотителя волн в основном включает две формы порошка и волокна.
Большая удельная площадь поверхности, приводящая к усилению поляризации интерфейса, играет важную роль в улучшении электромагнитных параметров и согласовании импедансов.

Области применения наночастиц SiC:

1. Область материала покрытия: область военного материала; область микроволнового оборудования
2. Область одежды радиационной защиты.
3. Область инженерных пластиков

Условия хранения: