1٪ Tungsten Doped Vanadium ڊاءِ آڪسائيڊ پائوڊر W-VO2 ذرو

tungsten doped vanadium ڊاء آڪسائيڊ پائوڊر جي وضاحت:

ذرات جي ماپ: 5-6um

صفائي: 99٪ +

رنگ: ڳاڙهو ڳاڙهو

ٽنگسٽن ڊاپنگ تناسب: 1-2٪ کان ترتيب ڏيڻ

مرحلي جي منتقلي جي درجه حرارت: اٽڪل 20-68 ℃ کان ترتيب ڏيڻ

لاڳاپيل مواد: خالص VO2 نانو پائوڊر

W doped Vanadium ڊاءِ آڪسائيڊ (W-VO2) پائوڊر جي درخواست:

نانو وينڊيم ڊاءِ آڪسائيڊ (VO2) کي مستقبل جي اليڪٽرانڪس انڊسٽريءَ لاءِ انقلابي مواد قرار ڏنو ويو آهي.ان جي اهم خاصيتن مان هڪ اها آهي ته اهو ڪمري جي حرارت تي هڪ انسوليٽر آهي، پر ان جي ايٽمي ساخت ڪمري جي حرارت جي ڪرسٽل ڍانچي کان ڌاتو ۾ تبديل ٿي ويندي آهي جڏهن درجه حرارت 68 ℃ کان وڌيڪ هوندي.هي منفرد ملڪيت، جنهن کي ڌاتو-انسوليٽر ٽرانزيڪشن (MIT) جي نالي سان سڃاتو وڃي ٿو، اهو هڪ مثالي اميدوار بڻائي ٿو سلڪون کي تبديل ڪرڻ لاءِ نئين نسل جي گهٽ طاقت واري اليڪٽرانڪ ڊوائيسز لاءِ.

هن وقت، optoelectronic ڊوائيسز ۾ VO2 مواد جي درخواست خاص طور تي پتلي فلم رياست ۾ آهي، ۽ ان کي ڪاميابي سان لاڳو ڪيو ويو آهي مختلف شعبن جهڙوڪ electrochromic ڊوائيسز، نظريي switches، microbatteries، توانائي-بچت ڪوٽنگ، سمارٽ ونڊوز، ۽ microbolometric ڊوائيسز.vanadium ڊاءِ آڪسائيڊ جي conductive ملڪيت ان کي آپٽيڪل ڊوائيسز، اليڪٽرانڪ ڊوائيسز ۽ optoelectronic ڊوائيسز ۾ امڪاني ايپليڪيشنن جو هڪ وسيع سلسلو ڏئي ٿو.

tungsten doping ڇو؟

مرحلن جي تبديلي کي گھٽ ڪرڻ لاءمرحلي جي منتقلي جي درجه حرارت.

اسٽوريج حالتون:

W-VO2 پائوڊر کي سڪل، ٿڌي ماحول ۾ بند رکڻ گهرجي، روشني کان پري اسٽور.

(DSC of 2% W-VO2)