SiC නැනෝ වයර්වල විසරණය සහ ආකලන ප්‍රමාණය (යොමු කිරීම සඳහා පමණි)
නිර්දේශිත විසරණ මාධ්‍ය: ඩියෝනීකරණය කළ ජලය, ආසවනය කළ ජලය, නිර්ජලීය එතනෝල්, එතිලීන් ග්ලයිකෝල්
නිර්දේශිත විසුරුම්කාරකය:පොලිඑතිලීන් ඉමයින් (PEI), nonionic polyacry lamide (PAM), සෝඩියම් pyrophosphate (SPP), twain 80, silicon compound coupling agent, polyethylene glycol, sodium hexametaphosphate, sodium carboxymethyl cellulose (CMC), ආදිය.
සාමාන්‍ය සෙරමික් න්‍යාස සංයෝගවල, 10wt% ට වඩා අඩු සිලිකන් කාබයිඩ් නැනෝ වයර් සාමාන්‍යයෙන් එකතු කරනු ලැබේ.නිශ්චිත ප්‍රශස්තකරණයේ ක්‍රියාවලියේදී, 1wt% සිට ආරම්භ කිරීම සහ ක්‍රමයෙන් අත්හදා බැලීම සහ ප්‍රශස්ත කිරීම නිර්දේශ කෙරේ.පර්යේෂණාත්මක පිළිවෙතට අනුව, එකතු කිරීමේ ප්‍රමාණය වැඩි වන තරමට වඩා හොඳ නොවේ, එය අමුද්‍රව්‍ය, ද්‍රව්‍ය ප්‍රමාණය, සින්ටර් කිරීමේ උෂ්ණත්වයට සම්බන්ධ වේ, සාධාරණ එකතු කිරීමේ ප්‍රමාණය හොඳම දැඩි කිරීමේ බලපෑම ලබා ගත හැකිය.

විසුරුවා හරින ලද SiC නැනෝ වයර් පොහොර සහ සෙරමික් කුඩු මිශ්‍ර කිරීමෙන් පසු පැය 1-12 ක් දිගටම විසුරුවා හරින්න.පබළු මෝල් විසුරුවා හැරීම හෝ යාන්ත්‍රික ඇවිස්සීමේ ක්‍රමය නිර්දේශ කෙරේ.නැනෝ වයර් කැඩීමට බෝල ඇඹරීමේ ක්‍රමය පහසුය.

SiC නැනෝ වයර් සහ matrix ද්‍රව්‍ය මිශ්‍ර කිරීම එතරම් හොඳ නැතිනම්, මිශ්‍ර කිරීමේ ඒකාකාරිත්වය වැඩි දියුණු කිරීම සඳහා SiCNW හි 1% ස්කන්ධයකින් යුත් සෝඩියම් හෙක්සැමෙටපොස්පේට් (හෝ අයිසොප්‍රොපානෝල්/එතනෝල් කුඩා ප්‍රමාණයක්) විසරණයක් ලෙස එකතු කළ හැකිය.

විසුරුවා හැරීමෙන් පසු වියළි හා විජලනය වහාම සිදු කළ යුතුය.සිහින්ව පැතිරීම සඳහා විශාල ප්‍රදේශයක් සහිත භාජනයකට පොහොර වත් කරන්න, ප්‍රදේශය වැඩි කිරීමෙන් පහසුවෙන් වාෂ්ප වී විජලනය වේ.නැනෝ වයර් සහ න්‍යාසය අතර ඇති අමුද්‍රව්‍ය දිරාපත් වීම වළක්වා ගැනීම වඩාත් වැදගත් වේ.නිර්දේශිත වියළුම් උෂ්ණත්වය 110-160℃ වේ.