අදියර සංක්රාන්ති උෂ්ණත්වයටංස්ටන් මාත්‍රණය කළ වැනේඩියම් ඩයොක්සයිඩ්(W-VO2) ප්‍රධාන වශයෙන් ටංස්ටන් අන්තර්ගතය මත රඳා පවතී. නිශ්චිත අවධි සංක්‍රාන්ති උෂ්ණත්වය පර්යේෂණාත්මක තත්ත්වයන් සහ මිශ්‍ර ලෝහ සංයුතිය අනුව වෙනස් විය හැක. සාමාන්‍යයෙන්, ටංස්ටන් අන්තර්ගතය වැඩි වන විට, වැනේඩියම් ඩයොක්සයිඩ්වල අවධි සංක්‍රාන්ති උෂ්ණත්වය අඩු වේ.

HONGWU විසින් W-VO2 සංයුති කිහිපයක් සහ ඒවාට අනුරූප අවධි සංක්‍රාන්ති උෂ්ණත්වයන් සපයයි:

Pure VO2: අදියර සංක්‍රාන්ති උෂ්ණත්වය 68°C වේ.

1% W-doped VO2: අදියර සංක්‍රාන්ති උෂ්ණත්වය 43°C වේ.

1.5% W-doped VO2: අදියර සංක්‍රාන්ති උෂ්ණත්වය 30 ° C වේ.

2% W-doped VO2: අදියර සංක්‍රාන්ති උෂ්ණත්වය 20 සිට 25 ° C දක්වා පරාසයක පවතී.

ටංස්ටන් මාත්‍රණය කළ වැනේඩියම් ඩයොක්සයිඩ් යෙදුම්:

1. උෂ්ණත්ව සංවේදක: ටංස්ටන් මාත්‍රණය මඟින් වැනේඩියම් ඩයොක්සයිඩ්වල අවධි සංක්‍රාන්ති උෂ්ණත්වය සකස් කිරීමට ඉඩ සලසයි, කාමර උෂ්ණත්වයට ආසන්නව ලෝහ-පරිවාරක සංක්‍රාන්තිය ප්‍රදර්ශනය කිරීමට හැකි වේ. මෙය නිශ්චිත උෂ්ණත්ව පරාසයක් තුළ උෂ්ණත්ව වෙනස්වීම් නිරීක්ෂණය කිරීම සඳහා උෂ්ණත්ව සංවේදක සඳහා ටංග්ස්ටන් මාත්‍රණය කළ VO2 සුදුසු වේ.

2. තිර සහ ස්මාර්ට් වීදුරු: පාලනය කළ හැකි ආලෝක සම්ප්‍රේෂණය සහිත වෙනස් කළ හැකි තිර සහ ස්මාර්ට් වීදුරු නිර්මාණය කිරීමට Tungsten-doped VO2 භාවිතා කළ හැක. ඉහළ උෂ්ණත්වවලදී, ද්රව්යය ඉහළ ආලෝක අවශෝෂණයක් සහ අඩු සම්ප්රේෂණයක් සහිත ලෝහමය අවධියක් ප්රදර්ශනය කරන අතර, අඩු උෂ්ණත්වවලදී, ඉහළ සම්ප්රේෂණය සහ අඩු ආලෝක අවශෝෂණය සහිත පරිවාරක අවධියක් පෙන්නුම් කරයි. උෂ්ණත්වය සකස් කිරීමෙන් ආලෝකය සම්ප්රේෂණය පිළිබඳ නිශ්චිත පාලනයක් ලබා ගත හැකිය.

3. දෘෂ්‍ය ස්විච සහ මොඩියුලේටර්: ටංස්ටන් මාත්‍රණය කළ වැනේඩියම් ඩයොක්සයිඩ් වල ලෝහ-පරිවාරක සංක්‍රාන්ති හැසිරීම දෘශ්‍ය ස්විච සහ මොඩියුලේටර සඳහා භාවිතා කළ හැක. උෂ්ණත්වය සීරුමාරු කිරීම මගින්, ආලෝකය හරහා ගමන් කිරීමට හෝ අවහිර කිරීමට ඉඩ සැලසිය හැක, දෘශ්‍ය සංඥා මාරු කිරීම සහ මොඩියුලේෂන් සක්‍රීය කරයි.

4. තාප විදුලි උපාංග: ටංස්ටන් මාත්‍රණය මඟින් වැනේඩියම් ඩයොක්සයිඩ්වල විද්‍යුත් සන්නායකතාවය සහ තාප සන්නායකතාවය යන දෙකෙහිම ගැලපීම සක්‍රීය කරයි, එය කාර්යක්ෂම තාප විද්‍යුත් පරිවර්තනය සඳහා සුදුසු වේ. Tungsten-doped VO2 බලශක්ති අස්වැන්න සහ පරිවර්තනය සඳහා ඉහළ කාර්යසාධනයක් සහිත තාප විදුලි උපාංග නිපදවීමට භාවිතා කළ හැක.

5. Ultrafast optical devices: Tungsten-doped vanadium dioxide අදියර සංක්‍රාන්ති ක්‍රියාවලියේදී අති වේගවත් දෘශ්‍ය ප්‍රතිචාරය පෙන්නුම් කරයි. මෙය අල්ට්‍රාෆාස්ට් ඔප්ටිකල් ස්විච සහ ලේසර් මොඩියුලේටර් වැනි අති වේගවත් දෘශ්‍ය උපාංග නිෂ්පාදනය සඳහා සුදුසු වේ.