Leštenie a brúsenie vlastností karbidu nano kremíka

Karbidový prášok na kremík(HW-D507) sa vyrába tavením kremeňa, ropným koksom (alebo uhoľným koksom) a drevenými lupienkami ako suroviny vysokou teplotou v odporových peciach. Karbid kremíka existuje aj v prírode ako vzácny minerál - pomenovaný ako Moissanite. V vysoko technológiách žiaruvzdorných surovín, ako sú C, N, B a ďalšie neoxidové, je karbid kremíka najčastejšie používaný a najúspornejší.

prášokMá vlastnosti, ako je vysoká chemická stabilita, vysoká tvrdosť, vysoká tepelná vodivosť, koeficient nízkej tepelnej expanzie atď. Preto má vynikajúce výkony, ako je anti-abráza, vysoká teplotná rezistencia a rezistencia na tepelný šok. Kremíkový karbid sa môže vyrobiť do abrazívnych práškov alebo brúsnych hláv, aby sa brúsenie a leštenie materiálov, ako sú kovy, keramika, sklo a plasty. V porovnaní s tradičnými abrazívnymi materiálmi má SIC vysokú odolnosť proti opotrebeniu, tvrdosť a tepelnú stabilitu, čo môže účinne zlepšiť presnosť a účinnosť spracovania. Okrem toho má vynikajúci chemický odpor a stabilitu s vysokou teplotou, takže má širokú škálu vyhliadok na aplikáciu v rôznych oblastiach.

SIC sa môže použiť na prípravu leštiacich materiálov, ktoré majú širokú škálu aplikácií v strojárstve, elektronických zariadeniach, optických zariadeniach a iných poliach. Tento leštiaci materiál má vynikajúce vlastnosti, ako je vysoká tvrdosť, vysoká odolnosť proti opotrebeniu a vysoká chemická stabilita, ktorá môže vykonávať vysoko kvalitné leštenie a mletie. V súčasnosti sú hlavnými brúsnymi a leštiacimi materiálmi na trhu diamant a jeho cena sú desiatky alebo dokonca stokrát β-siC. Avšak brúsny účinok β-SIC v mnohých oblastiach nie je menší ako diamant. V porovnaní s inými abrazívmi rovnakej veľkosti častíc má p-SIC najvyššiu účinnosť spracovania a výkon nákladov.

Ako leštiaci a mletý materiál má karbid nano kremíka tiež vynikajúci koeficient s nízkym trením a vynikajúce optické vlastnosti, ktoré sa široko používajú pri mikroelektronickom spracovaní a výrobe optoelektronických zariadení. Leštiace a mlecie materiály z karbidu nano kremíka môžu dosiahnuť extrémne vysoké možnosti leštenia, pričom kontrolujú a znižujú drsnosť a morfológiu povrchu, čím sa zlepší kvalita povrchu materiálu a výkonnosť produktu.

V diamantových nástrojoch na báze živice je karbid nano kremíka dôležitou prísadou, ktorá môže účinne zlepšiť odolnosť proti opotrebeniu, rezanie a leštenie výkonu diamantových nástrojov na báze živicí. Medzitým môže malá veľkosť a dobrá disperzia SIC zlepšiť výkon spracovania diamantových nástrojov na báze živíc dobre zmiešaním s materiálmi na báze živicí. Proces Nano SIC na výrobu diamantových nástrojov na báze živice je jednoduchý a jednoduchý. Po prvé, nano sic prášok sa zmieša s práškom živice v vopred určenom pomere a potom sa zahrieva a tlačí cez pleseň, ktorá môže účinne eliminovať nerovnomernú distribúciu diamantových častíc pomocou rovnomernej disperznej vlastnosti nanočastíc SIC, čím sa výrazne zlepšuje pevnosť a tvrdosť nástrojov a rozšírením ich služobnej životnosti.

Okrem výroby diamantových nástrojov na báze živíc,nanočastice z karbidu kremíkaMôže sa tiež používať pri výrobe rôznych abrazív a spracovateľských nástrojov, ako sú brúsne kolesá, brúsny papier, leštiace materiály atď. Vyhliadka na nano kremíkový karbid je veľmi široká. S rastúcou tendenciou rôznych odvetví používať vysokokvalitné a kvalitné nástroje na spracovanie a brúsivy, karbid Nano Silicon určite vytvorí v týchto oblastiach stále rozsiahlejšie aplikácie.

Záverom možno povedať, že prášok z karbidu Nano Silicon má širokú vyhliadku na aplikáciu ako kvalitný leštiaci materiál. S nepretržitým pokrokom v oblasti vedy a technológie sa diamantové nástroje na báze kremíka a diamantových nástrojov na báze živicí neustále zlepšujú a vylepšujú na širšiu škálu polí.

Hongwu Nano je profesionálny výrobca práškov Nano drahých kovov a ich oxidov so spoľahlivou a stabilnou kvalitou výrobkov a vynikajúcou cenou. Hongwu Nano dodáva Nanopwder SIC. Vitajte, že nás kontaktujte, aby ste získali ďalšie informácie.