Dispersi sareng Jumlah Aditif SiC Nanowires (pikeun rujukan wungkul)
Média dispersi anu disarankeun: cai deionisasi, cai sulingan, étanol anhidrat, étiléna glikol
Dispersant dianjurkeun: Poliétilén imine (PEI), nonionic polyacry lamide (PAM), natrium pirofosfat (SPP), dua 80, silikon agén gandeng sanyawa, poliétilén glikol, natrium hexametaphosphate, natrium carboxymethyl selulosa (CMC), jsb.
Dina komposit matrix keramik biasa, silikon carbide nanowires kirang ti 10wt% umumna ditambahkeun.Dina prosés optimasi husus, eta disarankeun pikeun mimitian ti 1wt% jeung saeutik demi saeutik ékspérimén jeung ngaoptimalkeun.Numutkeun prakték eksperimen, nu leuwih luhur jumlah nambahkeun teu merta hadé, éta patali jeung bahan baku, ukuran bahan, suhu sintering, jumlah nambahan lumrah bisa meunangkeun éfék toughening pangalusna.

Saatos Pergaulan slurry SiC nanowire dispersed jeung bubuk keramik, terus bubarkeun pikeun 1-12 jam.Dispersi ngagiling bead atawa métode aduk mékanis dianjurkeun.Métode panggilingan bola gampang nyababkeun kawat nano rusak.

Upami pencampuran kawat nano SiC sareng bahan matriks henteu saé, natrium héksametafosfat 1% massa SiCNW (atanapi sajumlah leutik isopropanol/étanol) tiasa ditambihan salaku dispersant pikeun ningkatkeun keseragaman campuran.

Saatos dispersing, garing sareng dehidrasi kedah dilaksanakeun langsung.Tuang slurry kana wadah anu lega pikeun nyebarkeun éta ipis, sareng ningkatkeun daérah éta bakal gampang menguap sareng dehidrasi. Éta langkung penting pikeun nyingkahan delaminasi bahan baku antara kawat nano sareng matriks.Suhu garing anu disarankeun nyaéta 110-160 ℃.