Diaméter kawat nano silikon karbida umumna kirang ti 500nm, sareng panjangna tiasa ngahontal ratusan μm, anu gaduh rasio aspék anu langkung luhur tibatan kumis silikon karbida.

Kawat nano silikon karbida ngawariskeun rupa-rupa sipat mékanis tina bahan bulk silikon karbida sareng ogé gaduh seueur sipat anu unik pikeun bahan diménsi rendah. Sacara téoritis, modulus Young tina hiji SiCNWs kira-kira 610~660GPa; kakuatan bending bisa ngahontal 53.4GPa, nu ngeunaan dua kali tina kumis SiC; kakuatan tensile ngaleuwihan 14GPa.

Sajaba ti éta, saprak SiC sorangan mangrupa bahan semikonduktor bandgap teu langsung, mobilitas éléktron tinggi. Leuwih ti éta, alatan ukuran skala nano anak, SiC nanowires boga pangaruh ukuran leutik sarta bisa dipaké salaku bahan luminescent; dina waktos anu sami, SiC-NWs ogé nunjukkeun épék kuantum sareng tiasa dianggo salaku bahan katalitik semikonduktor. Kawat silikon karbida nano gaduh poténsi aplikasi dina widang émisi médan, tulangan sareng bahan toughening, supercapacitors, sareng alat nyerep gelombang éléktromagnétik.

Dina widang émisi médan, sabab kawat nano SiC boga konduktivitas termal alus teuing, a band gap rubak leuwih gede ti 2.3 eV, sarta kinerja émisi médan alus teuing, aranjeunna bisa dipaké dina chip circuit terpadu, alat microelectronic vakum, jsb.
Kawat nano silikon karbida parantos dianggo salaku bahan katalis. Kalayan panilitian anu langkung jero, aranjeunna laun-laun dianggo dina katalisis fotokimia. Aya ékspérimén ngagunakeun kawat nano silikon karbida pikeun ngalaksanakeun ékspérimén laju katalitik dina asetaldehida, sarta ngabandingkeun waktu dékomposisi asetaldehida maké sinar ultraviolét. Ieu ngabuktikeun yén silikon carbide nanowires boga sipat photocatalytic alus.

Kusabab permukaan kawat nano SiC tiasa ngabentuk daérah anu ageung tina struktur lapisan ganda, éta ngagaduhan kinerja panyimpen énergi éléktrokimia anu saé sareng parantos dianggo dina superkapasitor.