Uchina Kiwanda ugavi HW-D500C SiCNWs silicon CARBIDE nanowires wazalishaji na wauzaji |Hongwu

Ugavi wa kiwanda HW-D500C SiCNWs nanowires za silicon carbide

Maelezo Fupi:

Katika composites ya kawaida ya matrix ya kauri, HW-D500C SiCNWs SiCNWs silicon carbide nanowires chini ya 10wt% huongezwa kwa ujumla. Katika mchakato wa uboreshaji mahususi, inashauriwa kuanza kutoka 1wt% na kujaribu hatua kwa hatua na kuboresha.

Tutumie barua pepe

Maelezo ya Bidhaa

Ugavi wa kiwanda HW-D500C SiCNWs nanowires za silicon carbide

Vipimo:

Kanuni	D500C
Jina	Silicon carbudi nanowires
Mfumo	SICNWs
Nambari ya CAS.	409-21-2
Kipenyo & Urefu	D <500nm L 50-100um
Usafi	99%
Aina ya Kioo	ujazo
Mwonekano	kijivu kijani
Kifurushi	10g, 50g, 100g, 200g au inavyotakiwa
Programu zinazowezekana	Nyenzo zenye mchanganyiko zilizoimarishwa na zilizoimarishwa, matrix ya Metal na composites ya matrix ya kauri iliyoimarishwa na kukazwa na nanowires za silicon carbide zimetumika sana katika mashine, tasnia ya kemikali, ulinzi wa kitaifa, nishati, ulinzi wa mazingira na nyanja zingine.

Maelezo:

Sifa za kimwili za silicon carbide nanowire:

Kioo cha ujazo, ambacho ni aina ya fuwele inayofanana na almasi.Ni fuwele yenye sura moja yenye nguvu ya juu na umbo la ndevu.Ina mali nyingi bora za mitambo kama vile nguvu ya juu na moduli ya juu, ambayo ni mojawapo ya vifaa bora vya kuimarisha na kuimarisha.

Sifa za kemikali za nanowires za silicon carbide:

Upinzani wa kuvaa, upinzani wa joto la juu, upinzani maalum wa mshtuko, upinzani wa kutu, upinzani wa mionzi.

Maelekezo kuu ya matumizi ya silicon carbide nanowires:

1.SIC nanowires/matrix ya kauri:SIC/TIC/WC/ALN/SI3N4/TIN/AL2O3/ZRO2/ZRB2 n.k.

2.SIC nanowires/composites ya metali ya tumbo:AL/TI/NI n.k

3.SIC nanowires/polima composites: Nylon/resin/mpira/plastiki n.k.

Mtawanyiko na Kiasi cha Nyongeza cha SiC Nanowires:

Kiasi cha mtawanyiko na Nyongeza ya SiC Nanowires (kwa marejeleo pekee)
Vyombo vya habari vya mtawanyiko vinavyopendekezwa: maji yaliyotengwa, maji yaliyosafishwa, ethanoli isiyo na maji, ethylene glikoli.
Kisambazaji kinachopendekezwa:Polyethilini imine (PEI), lamide ya polyacry nonionic (PAM), sodium pyrofosfati (SPP), twain 80, wakala wa kuunganisha kiwanja cha silicon, polyethilini glikoli, hexametafosfati ya sodiamu, selulosi ya sodium carboxymethyl (CMC), n.k.
Katika composites za kawaida za matrix ya kauri, nanowires za silicon carbudi chini ya 10wt% huongezwa kwa ujumla. Katika mchakato wa uboreshaji maalum, inashauriwa kuanza kutoka 1wt% na kujaribu hatua kwa hatua na kuboresha.Kwa mujibu wa mazoezi ya majaribio, juu ya kuongeza kiasi si lazima bora, ni kuhusiana na malighafi, ukubwa wa nyenzo, joto sintering, busara kuongeza kiasi wanaweza kupata bora toughening athari.

Baada ya kuchanganya slurry ya SiC nanowire iliyotawanywa na poda ya kauri, endelea kusambaza kwa saa 1-12.mtawanyiko wa kinu cha shanga au njia ya kukoroga kimakanika inapendekezwa.Njia ya kusaga mpira ni rahisi kusababisha nanowires kuvunjika.

Ikiwa mchanganyiko wa nanowires za SiC na nyenzo za matrix si mzuri sana, hexametafosfati ya sodiamu ya 1% ya molekuli ya SiCNW (au kiasi kidogo cha isopropanol/ethanol) inaweza kuongezwa kama kisambazaji ili kuboresha ulinganifu wa kuchanganya.

Baada ya kutawanyika, kavu na upungufu wa maji mwilini unapaswa kufanyika mara moja.Mimina tope ndani ya chombo kilicho na eneo kubwa ili kueneza nyembamba, na kuongeza eneo hilo litayeyuka na kupunguza maji kwa urahisi.Ni muhimu zaidi kuepuka delamination ya malighafi kati ya nanowires na matrix.Joto linalopendekezwa la kukausha ni 110-160 ℃.

SEM :