Alfa 100nm Silikon Nitride Poroşokyň bahasy

Gysga düşündiriş:

Üýtgeşik sintez prosesini ulanmak, ýokary arassa çig mal saýlamak we dürli arassalama usullary arkaly öndürilen fotowoltaik derejeli kremniý nitrit tozy ýokary arassalygy, dar bölejikleriň paýlanyşy, ýokary ingot demoulding üstünligi we önümiň hili tarapyndan ykrar edildi. köp müşderi


Haryt maglumatlary

100nm Silikon Nitride Poroşok

Spesifikasiýa:

Kod L559
Ady Silikon Nitride Poroşok
Formula Si3N4
CAS No. 12033-89-5
Bölejikleriň ululygy 100nm
Arassalyk 99,9%
Kristal görnüşi Alfa
Daş görnüşi Ak poroşok
Bukja 1kg ýa-da talap edilişi ýaly
Mümkin bolan programmalar Polikristally kremniý we çüýrän ýeke kristal kremniý kwars üçin galyndy goýberiji serişde hökmünde ulanylýar;ösen refrakter material hökmünde ulanylýar;inçe film gün öýjüklerinde ulanylýar;we ş.m.

Düşündiriş:

1. Polikristally kremniý we çüýrän ýeke kristal kremniý kwars üçin galyndy goýberiji serişde hökmünde ulanylýar.Haçyň içki diwarynyň eredilen kremniniň materialyna ýapyşmagynyň öňüni alyň, ýykylmagyny aňsatlaşdyryň we şol bir wagtyň özünde kremniniň materialynyň arassalygyny üpjün etmek üçin päsgelçilik gatlagy hökmünde çykyş ediň.Gün derejeli kremniý nitrit tozy, galyndy çykaryjy serişde hökmünde ulanylýar we polisilikon ingot öndürmek üçin möhüm önüm bolan polisilikon ingotyň iç ýüzüne sepilýär.

2. Silikon nitrid ýokary derejeli refrakter material hökmünde ulanylýar.Mysal üçin, SI3N4-SIC refrakter partlaýjy peç korpusynda we beýleki böleklerde sic bilen hyzmatdaşlykda ulanylýar;BN bilen bilelikde SI3N4-BN materialy hökmünde ulanylanda, keseligine üznüksiz guýma aýralyk halkasynda ulanylýar.

Saklamagyň ýagdaýy:

Silikon Nitride Poroşok möhürlenmeli, ýeňil we gurak ýerde saklanmaly.Otag otagynyň temperaturasy gowy.

SEM:

SEM-Si3N4-100nm


  • Öňki:
  • Indiki:

  • Habaryňyzy bize iberiň:

    Habaryňyzy şu ýere ýazyň we bize iberiň

    Habaryňyzy bize iberiň:

    Habaryňyzy şu ýere ýazyň we bize iberiň