Spesifikasiýa:
Kod | D501-D509 |
Ady | Silikon karbid nano tozy |
Formula | SiC |
CAS No. | 409-21-2 |
Bölejikleriň ululygy | 50-60nm, 100-300nm, 300-500nm, 1-15um |
Arassalyk | 99% |
Kristal görnüşi | Kubik |
Daş görnüşi | Çal reňkli ýaşyl |
Bukja | 100g, 500g, 1kg, 10kg, 25kg |
Mümkin bolan programmalar | ýylylyk geçiriji, örtük, keramika, katalizator we ş.m. |
Düşündiriş:
Silikon karbid ajaýyp himiki durnuklylyga we oňat tolkun siňdiriş aýratynlyklaryna eýedir we köp sanly material çeşmelerine we arzan bahasyna eýedir we tolkun siňdiriş ulgamynda uly mümkinçiliklere eýe.
SiC ýokary temperatura durnuklylygy, himiki poslama garşylygy, ajaýyp okislenme garşylygy we pes ýylylyk giňelme koeffisiýenti bolan ýarymgeçiriji materialdyr.Içerde we daşary ýurtda iň köp öwrenilen ýokary temperatura siňdiriji.
Tolkun sorujy hökmünde beta ilicon karbide (SiC) tozy, esasan, poroşok we süýümiň iki görnüşini öz içine alýar.
Güýçlendirilen interfeýs polýarizasiýasyna alyp barýan uly ýerüsti meýdany, elektromagnit parametrlerini we impedans deňeşdirmesini gowulandyrmakda möhüm rol oýnaýar
Nano SiC bölejikleriniň amaly meýdanlary:
1. Örtük material meýdançasy: harby material meýdançasy;mikrotolkun enjamlary meýdany
2. Radiasiýa gorag eşikleri
3. In Engineeringenerçilik plastmassa meýdançasy
Saklamagyň ýagdaýy:
Silikon Karbid (SiC) tozanlary möhürlenmeli, ýeňil we gurak ýerde saklanmaly.Otag otagynyň temperaturasy gowy.