Grafen oksidi ýeke gatlak GO Nano poroşok
Haryt görnüşi
| Harydyň ady | grafen oksidi |
| MF | C |
| Arassalygy (%) | 99% |
| Daş görnüşi | gaty poroşok |
| Bölejikleriň ululygy | galyňlygy: 0.6-1.2nm, Uzynlygy: 0.8-2um, 99% |
| Marka | HW |
| Gaplamak | goşa anti-statik haltalar |
| Baha standarty | senagat |
Önümiň öndürijiligi
Arzagrahen oksidi:
Gün batareýasy PEDOT ýerine grafen oksidini ulanmak: PSS polimer gün öýjüginiň deşik transport gatlagy hökmünde şuňa meňzeş fotoelektrik öwrüliş netijeliligi (PCE) alyndy.Dürli GO gatlagynyň galyňlygynyň polimer gün öýjük PCE-ä täsiri öwrenildi.GO film gatlagynyň galyňlygynyň 2 nm bolandygy anyklandy.Enjam iň ýokary fotoelektrik öwrüliş netijeliligine eýedir. Çeýe datçik Grafen oksidi köp gidrofil funksional toparlary öz içine alýar, üýtgetmek aňsat.Mundan başga-da, uly ýerüsti meýdany, oňat dispersiýa we çyglylyga gowy duýgurlygy bar, esasanam çeýe datçikler pudagynda ideal sensor materialyna öwrülýär.
Saklamakgrafen oksidi:
Grafen oksidimöhürlenmeli we göni gün şöhlesinden uzakda gurak, salkyn gurşawda saklanmalydyr.
