Antimon, galaýy dioksid nano tozy (ATO)ýarymgeçiriji häsiýetli materialdyr. Ondarymgeçiriji material hökmünde aşakdaky ýarymgeçirijiniň käbir aýratynlyklary bar:
1. Zolak boşlugy: ATO-da ortaça zolak aralygy bar, adatça 2 eV töweregi. Bu boşlugyň ululygy, otag temperaturasynda ýarymgeçiriji ýaly gowy işlemäge mümkinçilik berýär.
2. Elektrik geçirijiligi: ATO dopingiň görnüşine we konsentrasiýasyna baglylykda N görnüşli ýa-da P görnüşli ýarymgeçiriji bolup biler. Antimon köpeldilende, ATO N görnüşli geçirijiligi görkezýär, bu bolsa elektronlaryň geçiriji zolaga geçmegi netijesinde ýüze çykýan elektronlaryň akymydyr. Doping konsentrasiýasy näçe ýokary bolsa, geçirijilik şonça-da güýçli bolar. Munuň tersine, galaýy oksidi alýumin, sink ýa-da galiý ýaly beýleki elementler bilen garylanda, P görnüşli doping emele gelip biler. Positiveagny, polo positiveitel deşikleriň walent zolagyna göçmegi netijesinde ýüze çykýan häzirki akym.
3. Optiki häsiýetler: Görünýän ýagtylyk we infragyzyl yşyk üçin ATO belli bir aç-açanlyga eýe. Bu, fotosessiýalar, ýagtylyk datçikleri we ş.m. ýaly optiki programmalarda mümkinçilik berýär.
4. malylylyk aýratynlyklary: ATO-nyň gowy ýylylyk geçirijiligi we pes ýylylyk giňelme koeffisiýenti bar, käbir ýylylyk dolandyryş programmalarynda artykmaçlyklary bar.
Şonuň üçin Nano ATO köplenç geçiriji gatlaklarda we elektron enjamlarda aç-açan geçiriji filmlerde ulanylýar we dürli elektron enjamlarynda giňden ulanylýar. Ondarymgeçirijiniň geçirilmegi üçin ATO-nyň ýokary geçirijiligi we aýdyňlygy örän möhüm aýratynlyklardyr. Gün öýjükleri, suwuk kristal displeýler we ş.m. ýaly fotoelektrik enjamlarynda aç-açan elektrod materialy hökmünde ulanylyp bilner Bu enjamlarda transport akymlary elektron akymlarynyň göwnejaý geçirilmegi üçin möhümdir we ATO-nyň ýokary geçirijiligi elektronlaryň işlemegine mümkinçilik berýär materialyň içinde daşalýar.
Mundan başga-da, ATO geçiriji nano toklara, geçiriji ýelimlere, geçiriji tozan örtüklerine we beýleki meýdanlara hem ulanylyp bilner. Bu programmalarda ýarymgeçiriji material tok geçiriji gatlak ýa-da geçiriji film arkaly geçirişe ýetip biler. Mundan başga-da, esasy materialyň görünýän ýagtylyk geçirijiligi, aýdyňlygy sebäpli saklanyp bilner.
Hongwu Nano, dürli bölejik ululyklarynda antimilli dopin galyň dioksid tozy bilen üpjün edýär. “Antimony” doped galyň dioksid nano tozy (ATO) bilen gyzyklanýan bolsaňyz, bize ýüz tutmagyňyzy haýyş edýäris.
Iş wagty: Apr-26-2024