Ang aparato ng High -Power ay gumagawa ng malaking init sa panahon ng pagtatrabaho. Kung hindi ito nai -export sa oras, malubhang bawasan ang pagganap ng magkakaugnay na layer, na makakaapekto sa pagganap at pagiging maaasahan ng module ng kuryente.

Nano SilverAng teknolohiyang sintering ay isang mataas na teknolohiya ng koneksyon sa koneksyon sa packaging na gumagamit ng nano -silver cream sa isang mas mababang temperatura, at ang temperatura ng sintering ay mas mababa kaysa sa natutunaw na punto ng pilak na pilak na pilak. Ang mga organikong sangkap sa nano -silver ay i -paste ang pagkabulok at pabagu -bago ng isip sa panahon ng proseso ng pagsasala, at sa kalaunan ay bumubuo ng isang layer ng koneksyon sa pilak. Ang nano -silver sintering connector ay maaaring matugunan ang mga kinakailangan ng ikatlong -generation semiconductor power module package at ang mga kinakailangan ng mga mababang -temperature na koneksyon at serbisyo ng mataas na temperatura. Ito ay may mahusay na thermal conductivity at mataas na temperatura pagiging maaasahan. Inilapat ito sa maraming dami sa proseso ng paggawa ng aparato ng kuryente. Ang Nano -silver cream ay may mahusay na kondaktibiti, mababang temperatura ng welding, mataas na pagiging maaasahan, at may mataas na pagganap ng serbisyo sa temperatura. Ito ay kasalukuyang ang pinaka -potensyal na mababang -temperature welding interconnection material. Malawakang ginagamit ito sa Gan -based power LED package, MOSFET Power Device at IGBT Power Device. Ang mga aparato ng semiconductor ng kapangyarihan ay malawakang ginagamit sa 5G module ng komunikasyon, LED packaging, Internet of Things, aerospace modules, electric vehicle, high -speed rail at riles transit, solar photovoltaic power generation, wind power generation, smart grids, smart home appliances at iba pang mga patlang.

Ayon sa mga ulat, ang light sink na gawa sa 70nm na pilak na pulbos para sa thermal exchange material ay maaaring gawin ang temperatura ng pagtatrabaho ng refrigerator na umabot sa 0.01 hanggang 0.003K, at ang kahusayan ay maaaring 30%na mas mataas kaysa sa tradisyonal na mga materyales. Sa pamamagitan ng pag -aaral ng iba't ibang mga nilalaman ng nano -silver doped (BI, PB) 2SR2CA2CU3ox block material, natagpuan na ang nano -silver doping ay binabawasan ang natutunaw na punto ng materyal at pinapabilis ang mataas na TC (ang TC ay tumutukoy sa kritikal na temperatura, iyon ay, mula sa normal na estado hanggang sa superconductive state. Ang pagbuo ng paglaban ay nawala).

Ang materyal na pader ng pag -init para sa pilak na nano para sa mababang -temperature na pagbabawas ng mga aparato ng pagpapalamig ay maaaring mabawasan ang temperatura at mabawasan ang temperatura mula 10mkJ hanggang 2mk. Ang solar cell solong kristal na silikon wafer sintering pilak na pulp ay maaaring dagdagan ang thermal conversion rate.