Ang diameter ng silicon carbide nanowires ay karaniwang mas mababa sa 500nm, at ang haba ay maaaring umabot sa daan-daang μm, na may mas mataas na aspect ratio kaysa sa silicon carbide whiskers.

Ang mga silicone carbide nanowires ay nagmamana ng iba't ibang mekanikal na katangian ng mga bulk na materyales ng silicon carbide at mayroon ding maraming katangian na natatangi sa mga mababang-dimensional na materyales. Sa teoryang, ang modulus ng Young ng isang solong SiCNW ay humigit-kumulang 610~660GPa; ang lakas ng baluktot ay maaaring umabot sa 53.4GPa, na halos dalawang beses kaysa sa SiC whiskers; ang lakas ng makunat ay lumampas sa 14GPa.

Bilang karagdagan, dahil ang SiC mismo ay isang hindi direktang materyal na semiconductor ng bandgap, mataas ang mobility ng elektron. Bukod dito, dahil sa sukat ng nano nito, ang mga SiC nanowires ay may maliit na epekto sa laki at maaaring magamit bilang isang luminescent na materyal; kasabay nito, ang mga SiC-NW ay nagpapakita rin ng mga quantum effect at maaaring magamit bilang isang semiconductor catalytic na materyal. Ang mga nano silicon carbide wire ay may potensyal na magamit sa larangan ng field emission, reinforcement at toughening materials, supercapacitors, at electromagnetic wave absorption device.

Sa larangan ng field emission, dahil ang nano SiC wires ay may mahusay na thermal conductivity, isang band gap width na higit sa 2.3 eV, at mahusay na field emission performance, maaari silang magamit sa integrated circuit chips, vacuum microelectronic device, atbp.
Silicon carbide nanowires ay ginamit bilang mga materyales ng katalista. Sa pagpapalalim ng pananaliksik, unti-unti silang ginagamit sa photochemical catalysis. May mga eksperimento na gumagamit ng silicon carbide nanowires upang magsagawa ng catalytic rate na mga eksperimento sa acetaldehyde, at ihambing ang oras ng acetaldehyde decomposition gamit ang ultraviolet rays. Ito ay nagpapatunay na ang silicon carbide nanowires ay may magandang photocatalytic properties.

Dahil ang ibabaw ng SiC nanowires ay maaaring bumuo ng isang malaking lugar ng double-layer na istraktura, mayroon itong mahusay na pagganap ng pag-iimbak ng enerhiya ng electrochemical at ginamit sa mga supercapacitor.