Ang diameter ng silikon na karbida nanowires sa pangkalahatan ay mas mababa sa 500nm, at ang haba ay maaaring umabot sa daan -daang μm, na may mas mataas na ratio ng aspeto kaysa sa mga whisker ng silikon na karbida.

Ang Silicon Carbide Nanowires ay nagmamana ng iba't ibang mga mekanikal na katangian ng mga materyales na bulk ng silikon na karbida at mayroon ding maraming mga pag-aari na natatangi sa mga mababang-dimensional na materyales. Sa teoretikal, ang modulus ng Young ng isang solong sicnws ay tungkol sa 610 ~ 660GPA; Ang baluktot na lakas ay maaaring umabot sa 53.4GPA, na halos dalawang beses sa mga whisker ng sic; Ang lakas ng makunat ay lumampas sa 14GPA.

Bilang karagdagan, dahil ang SIC mismo ay isang hindi tuwirang bandgap semiconductor na materyal, mataas ang kadaliang kumilos ng elektron. Bukod dito, dahil sa laki ng nano scale nito, ang Sic nanowires ay may maliit na epekto at maaaring magamit bilang isang materyal na luminescent; Kasabay nito, ang SIC-NWS ay nagpapakita rin ng mga epekto ng dami at maaaring magamit bilang isang semiconductor catalytic material. Ang mga wire ng Nano Silicon Carbide ay may potensyal na aplikasyon sa mga patlang ng paglabas ng patlang, pampalakas at mga materyal na materyales, supercapacitors, at mga aparato ng pagsipsip ng alon ng electromagnetic.

Sa larangan ng paglabas ng patlang, dahil ang mga wire ng nano sic ay may mahusay na thermal conductivity, isang lapad ng band gap na mas malaki kaysa sa 2.3 eV, at mahusay na pagganap ng paglabas ng larangan, maaari silang magamit sa integrated circuit chips, vacuum microelectronic na aparato, atbp.
Ang mga silikon na karbida nanowires ay ginamit bilang mga materyales sa katalista. Sa pagpapalalim ng pananaliksik, unti -unting ginagamit ang mga ito sa photochemical catalysis. Mayroong mga eksperimento gamit ang silikon na karbida nanowires upang magsagawa ng mga eksperimento sa rate ng catalytic sa acetaldehyde, at ihambing ang oras ng agnas ng acetaldehyde gamit ang mga ray ng ultraviolet. Pinapatunayan nito na ang mga silikon na karbida nanowires ay may mahusay na mga pag -aari ng photocatalytic.

Dahil ang ibabaw ng SIC nanowires ay maaaring makabuo ng isang malaking lugar ng istraktura ng dobleng layer, mayroon itong mahusay na pagganap ng pag-iimbak ng enerhiya ng electrochemical at ginamit sa mga supercapacitors.