SiC Nanowiresның дисперсиясе һәм өстәмә күләме (белешмә өчен)
Тәкъдим ителгән дисперсия чаралары: деонизацияләнгән су, дистилляцияләнгән су, сусыз этанол, этилен гликол
Тәкъдим ителгән дисперсант: Полиэтилен имин (PEI), ноник полиакри ламид (PAM), натрий пирофосфат (СПП), икесе 80, кремний кушылу агенты, полиэтилен гликол, натрий гексеметафосфат, натрий карбоксиметил целлюлозасы (CMC) һ.б.
Гадәттәге керамик матрица композитларында кремний карбид нановирлары 10wt% тан кимрәк өстәлә. Конкрет оптимизация процессында 1вт% тан башларга, әкренләп эксперимент һәм оптимальләштерергә киңәш ителә.Эксперименталь практика буенча, өстәмә күләм күп булса, яхшырак булырга тиеш түгел, ул чимал, материаль зурлык, синтеринг температурасы белән бәйле, акыллы өстәмә күләме иң катгый эффект ала ала.

Чәчелгән SiC нановиры һәм керамик порошокны кушкач, 1-12 сәгать таралуны дәвам итегез.мич тегермәне дисперсиясе яки механик кузгату ысулы тәкъдим ителә.Туп тегермәне ысулы нановирларның өзелүенә китерә.

SiC нановирлары һәм матрица материалларын катнаштыру бик яхшы булмаса, катнашу бердәмлеген яхшырту өчен дисперсант итеп 1% масса SiCNW (яки аз күләмле изопропанол / этанол) натрий гексаметафосфат кушылырга мөмкин.

Чәчелгәннән соң, коры һәм сусызлану шунда ук үткәрелергә тиеш.Нечкә таралу өчен, зур мәйданлы савытка чүпрәкне түкегез, һәм мәйданны парга әйләндерү һәм җиңел дегидратлау. Нановирлар һәм матрицалар арасында чималның деламинациясеннән саклану мөһимрәк.Тәкъдим ителгән киптерү температурасы 110-160 is.