Windows биналарда югалган энергиянең 60% тәшкил итә.Эссе һавада тәрәзәләр тыштан җылытыла, җылылык энергиясен бинага нурландыра.Тышта салкын булганда, тәрәзәләр эчтән җылыналар, һәм алар тышкы тирәлеккә җылылык тараталар.Бу процесс радиатив суыту дип атала.Димәк, тәрәзәләр бинаны кирәк булганча җылы яки салкын тоту өчен эффектив түгел.

Бу радиатив суыту эффектын температурасына карап үзеннән-үзе кабыза ала торган пыяла эшләп буламы?Yesавап әйе.

Вайдеман-Франц законы буенча, материалның электр үткәрүчәнлеге яхшырак, җылылык үткәрүчәнлеге яхшырак.Ләкин, ванадиум диоксиды материалы - бу законга буйсынмаган очрак.

Тикшерүчеләр ванадиум диоксидының нечкә катламын өстәделәр, кушылма изолятордан үткәргечкә 68 ° C тирәсендә, стаканның бер ягына.Ванадий диоксиды (VO2)типик термаль индуктив фаза күчү үзенчәлекләре булган функциональ материал.Аның морфологиясен изолятор белән металл арасында әйләндерергә мөмкин.Ул бүлмә температурасында изолятор һәм 68 ° C-тан югары температурада металл үткәргеч булып эш итә.Бу аның атом структурасы бүлмә температурасы кристалл структурасыннан 68 ° C-тан югары температурада металл структурага үзгәртелергә мөмкин, һәм күчү 1 наносекундтан да азрак була, бу электрон кушымталар өчен өстенлек.Бәйләнешле тикшеренүләр күп кешеләрне ванадий диоксиды киләчәк электроника тармагы өчен революцион материал булырга мөмкин дип ышандырды.

Швейцария университеты тикшерүчеләре ванадиум диоксидының фаза күчү температурасын 100 ° C-тан арттырдылар, ванадий диоксиды пленкасына сирәк металл материал германий кушып.Беренче тапкыр ультрак компактлы, көйләнә торган ешлык фильтрларын булдыру өчен, алар ванадий диоксиды һәм фазаны үзгәртү технологиясен кулланып, RF кушымталарында уңышларга ирештеләр.Бу яңа фильтр космик элемтә системалары кулланган ешлык диапазоны өчен аеруча яраклы.

Моннан тыш, ванадий диоксидының физик үзлекләре, мәсәлән, каршылык һәм инфракызыл тапшыру, үзгәрү процессында кискен үзгәрәчәк.Ләкин, VO2 кушымталарының күпчелеге температураның бүлмә температурасы янында булуын таләп итә, мәсәлән: акыллы тәрәзәләр, инфракызыл детекторлар һ.б., һәм допинг фаза күчү температурасын эффектив киметә ала.Вольфрам элементын VO2 пленкасында допинг фильмның фаза күчү температурасын бүлмә температурасына кадәр киметергә мөмкин, шуңа күрә вольфрам допедлы VO2 куллану перспективалары киң.

Hongwu Nano инженерлары ванадий диоксидының фаза күчү температурасы допинг, стресс, ашлык күләме һ.б. белән көйләнергә мөмкинлеген ачыкладылар. Допинг элементлары вольфрам, тантал, ниобий һәм германий булырга мөмкин.Вольфрам допингы иң эффектив допинг ысулы булып санала һәм фаза күчү температурасын көйләү өчен киң кулланыла.Вольфрам 1% допинг ванадий диоксид пленкаларының фаза күчү температурасын 24 ° C ка киметергә мөмкин.

Безнең компания запас белән тәэмин итә ала торган саф фазалы нано-ванадиум диоксиды һәм вольфрам-допедлы ванадий диоксиды спецификасы:

1. Нано ванадий диоксиды порошогы, ачылмаган, саф фаза, фазага күчү температурасы 68 is

2. Ванадий диоксиды 1% вольфрам (W1% -VO2) белән капланган, фазага күчү температурасы 43 ℃

3. Ванадий диоксиды 1,5% вольфрам (W1.5% -VO2) белән капланган, фазага күчү температурасы 32 ℃

4. Ванадий диоксиды 2% вольфрам (W2% -VO2) белән капланган, фазага күчү температурасы 25 ℃

5. Ванадий диоксиды 2% вольфрам (W2% -VO2) белән капланган, фазага күчү температурасы 20 is

Якын киләчәккә өметләнеп, вольфрамлы ванадий диоксиды булган бу акыллы тәрәзәләр бөтен дөньяга урнаштырыла һәм ел әйләнәсендә эшли ала.