Оксид індію — це новий прозорий напівпровідниковий функціональний матеріал n-типу з широкою забороненою зоною, малим питомим опором і високою каталітичною активністю.Коли розмір частинок оксиду індію досягає нанометрового рівня, окрім вищевказаних функцій, він також має, окрім ефектів поверхні, ефектів квантового розміру, ефектів малого розміру та ефектів макроскопічного квантового тунелювання наноматеріалів, нанооксид індію широко використовується в оптоелектронні пристрої, сонячні елементи, рідкокристалічні дисплеї та газові датчики.

Паперовий експеримент показує, що газові сенсори, виготовлені з наночастинок In2O3, мають високу чутливість до багатьох газів, таких як спирт, HCHO, NH3 тощо. Час відгуку менше 20 с, а час відновлення менше 30 с.