Polimer materiallar past zichlik, oson ishlov berish va yaxshi elektr izolyatsiyasi afzalliklariga ega.Ular mikroelektronika integratsiyasi va qadoqlash, elektr texnikasi va LED energiyani tejash kabi sohalarda keng qo'llaniladi.Umuman olganda, polimerlar issiqlikni yomon o'tkazuvchilardir.Izolyatsiya qiluvchi materiallarga keladigan bo'lsak, ularning issiqlik tarqalish qobiliyati muammoga aylanib bormoqda va mukammal keng qamrovli xususiyatlarga ega yuqori issiqlik o'tkazuvchanligiga ega polimer kompozit materiallarni tayyorlashga shoshilinch ehtiyoj bor.

Silikon karbid korroziyaga chidamlilik, yuqori haroratga chidamlilik, yuqori quvvat, yaxshi issiqlik o'tkazuvchanligi, zarba qarshiligi va boshqalar xususiyatlariga ega. Shu bilan birga, u yuqori issiqlik o'tkazuvchanligi, oksidlanish qarshiligi va yaxshi issiqlik barqarorligining afzalliklariga ega.

Tadqiqotchilar silikon karbiddan epoksi to'ldirish uchun issiqlik o'tkazuvchan plomba sifatida foydalanishdi va nano-kremniy karbid epoksi qatronining qattiqlashishiga yordam berishi mumkinligini aniqladilar va silikon karbid zarralari qatronlar tizimi ichida issiqlik o'tkazuvchanlik yo'lini yoki termal tarmoq zanjirini hosil qilish ehtimoli ko'proq. , epoksi qatronining ichki bo'shliq nisbatini kamaytirish va epoksi qatronini yaxshilash.Materialning mexanik va issiqlik o'tkazuvchanligi.

Ba'zi tadkikotlar silan birlashtiruvchi vosita, stearik kislota va ularning kombinatsiyasini modifikatorlar sifatida turli modifikatorlarning b-SiC kukunining qattiq tarkibiga, yog 'yutilish qiymatiga va issiqlik o'tkazuvchanligiga ta'sirini o'rganish uchun ishlatilgan.Eksperimental natijalar shuni ko'rsatadiki, KH564 ning silan biriktiruvchi agentidagi modifikatsiya ta'siri yanada aniqroq;stearik kislota va ikkita sirt modifikatorining kombinatsiyasini o'rganish orqali natijalar modifikatsiya ta'sirining yagona modifikator bilan solishtirganda yanada yaxshilanganligini va qattiqlik yuqori ekanligini ko'rsatadi.Yog 'kislotasi va KH564 ning ta'siri yaxshiroq va issiqlik o'tkazuvchanligi 1,46 Vt / (m · K) ga etadi, bu o'zgartirilmagan b-SiC dan 53,68% va bitta KH564 modifikatsiyasidan 20,25% yuqori.

Yuqorida faqat sizning ma'lumotingiz uchun, tafsilotlar sinovdan o'tishi kerak, rahmat.