Đường kính của dây nano cacbua silic thường nhỏ hơn 500nm và chiều dài có thể đạt tới hàng trăm μm, có tỷ lệ khung hình cao hơn so với râu cacbua silic.

Dây nano cacbua silic kế thừa các đặc tính cơ học khác nhau của vật liệu khối cacbua silic và cũng có nhiều đặc tính chỉ có ở vật liệu có chiều thấp. Về mặt lý thuyết, mô đun Young của một SiCNW đơn lẻ là khoảng 610 ~ 660GPa; độ bền uốn có thể đạt tới 53,4GPa, gấp khoảng hai lần so với râu SiC; độ bền kéo vượt quá 14GPa.

Ngoài ra, do bản thân SiC là vật liệu bán dẫn có dải cấm gián tiếp nên độ linh động của điện tử cao. Hơn nữa, do có kích thước nano nên dây nano SiC có hiệu ứng kích thước nhỏ và có thể được sử dụng làm vật liệu phát quang; đồng thời, SiC-NW còn thể hiện hiệu ứng lượng tử và có thể dùng làm vật liệu xúc tác bán dẫn. Dây nano silic cacbua có tiềm năng ứng dụng trong lĩnh vực phát xạ trường, vật liệu gia cố và làm cứng, siêu tụ điện và thiết bị hấp thụ sóng điện từ.

Trong lĩnh vực phát xạ trường, vì dây nano SiC có độ dẫn nhiệt tuyệt vời, độ rộng vùng cấm lớn hơn 2,3 eV và hiệu suất phát xạ trường tuyệt vời nên chúng có thể được sử dụng trong chip mạch tích hợp, thiết bị vi điện tử chân không, v.v.
Dây nano cacbua silic đã được sử dụng làm vật liệu xúc tác. Với sự nghiên cứu sâu hơn, chúng đang dần được sử dụng trong xúc tác quang hóa. Có những thí nghiệm sử dụng dây nano silic cacbua để tiến hành thí nghiệm tốc độ xúc tác trên acetaldehyde, đồng thời so sánh thời gian phân hủy acetaldehyde bằng tia cực tím. Nó chứng tỏ rằng dây nano silicon cacbua có đặc tính xúc tác quang tốt.

Do bề mặt của dây nano SiC có thể tạo thành một diện tích lớn cấu trúc hai lớp nên nó có hiệu suất lưu trữ năng lượng điện hóa tuyệt vời và đã được sử dụng trong các siêu tụ điện.