נאַנאָ-גערמאַניום האט די אַדוואַנטידזשיז פון שמאָל באַנד ריס, הויך אַבזאָרפּשאַן קאָואַפישאַנט און הויך מאָביליטי. ווען געווענדט צו דער אַבזאָרפּשאַן שיכטע פון ​​זונ - סעלז, עס קענען יפעקטיוולי יקספּאַנד די אַבזאָרפּשאַן פון די ינפרערעד באַנד ספּעקטרום פון זונ - סעלז.

גערמאַניום איז געווארן די מערסט פּראַמאַסינג נעגאַטיוו ילעקטראָוד מאַטעריאַל פֿאַר ליטהיום-יאָן באַטעריז רעכט צו זיין הויך טעאָרעטיש קאַפּאַציטעט.

די טעאָרעטיש מאַסע קאַפּאַציטעט פון גערמאַניום איז 1600 מאַה / ג, און די באַנד קאַפּאַציטעט איז ווי הויך ווי 8500 מאַה / קמ3. די דיפיוזשאַן קורס פון Li+ אין גע מאַטעריאַל איז וועגן 400 מאל אַז פון סי, און די עלעקטראָניש קאַנדאַקטיוואַטי איז 104 מאל אַז פון סי, אַזוי גערמאַניום איז מער פּאַסיק פֿאַר הויך-קראַנט און הויך-מאַכט דעוויסעס.

א לערנען צוגעגרייט אַ נאַנאָ-גערמאַניום-צין / טשאַד קאַמפּאַזאַט מאַטעריאַל. די טשאַד מאַטעריאַל קענען פֿאַרבעסערן די קאַנדאַקטיוואַטי פון גערמאַניום בשעת אַדאַפּטינג צו זייַן באַנד טוישן. די דערצו פון צין קענען ווייַטער פֿאַרבעסערן די קאַנדאַקטיוואַטי פון דעם מאַטעריאַל. אין דערצו, די צוויי קאַמפּאָונאַנץ פון גערמאַניום און צין האָבן פאַרשידענע פּאָטענציעל פֿאַר ליטהיום יקסטראַקשאַן / ינסערשאַן. דער קאָמפּאָנענט וואָס טוט נישט אָנטייל נעמען אין דער אָפּרוף קענען זיין געוויינט ווי אַ מאַטריץ צו באַפער די באַנד טוישן פון די אנדערע קאָמפּאָנענט בעשאַס די אָפּצאָל און אָפּזאָגן פּראָצעס, דערמיט ימפּרוווינג די סטראַקטשעראַל פעסטקייַט פון די נעגאַטיוו ילעקטראָוד.