1% טונגסטאַן דאָפּט וואַנאַדיום דייאַקסייד פּודער וו-וואָ2 פּאַרטאַקאַל

באַשרייַבונג פון טאַנגסטאַן דאָפּט וואַנאַדיום דייאַקסייד פּודער:

פּאַרטאַקאַל גרייס: 5-6ום

ריינקייַט: 99%+

קאָליר: גרוייש שוואַרץ

טאַנגסטאַן דאָפּינג פאַרהעלטעניש: אַדזשאַסטאַבאַל פון 1-2%

פאַסע יבערגאַנג טעמפּעראַטור: אַדזשאַסטאַבאַל פון וועגן 20-68 ℃

פֿאַרבונדענע מאַטעריאַלס: ריין VO2 נאַנאָפּאַודער

אַפּפּליקאַטיאָן פון וו דאַפּט וואַנאַדיום דייאַקסייד (W-VO2) פּאַודערז:

נאַנאָ וואַנאַדיום דייאַקסייד (VO2) איז כיילד ווי אַ רעוואלוציאנער מאַטעריאַל פֿאַר דער צוקונפֿט עלעקטראָניק אינדוסטריע.איינער פון זייַן שליסל פּראָפּערטיעס איז אַז עס איז אַן ינסאַלייטער אין צימער טעמפּעראַטור, אָבער זיין אַטאָמישע סטרוקטור וועט טוישן פון צימער טעמפּעראַטור קריסטאַל סטרוקטור צו מעטאַל ווען די טעמפּעראַטור איז העכער ווי 68 ℃.די יינציק פאַרמאָג, באקאנט ווי די מעטאַל-ינסאַלאַטאָר יבערגאַנג (MIT), מאכט עס אַן אידעאל קאַנדידאַט צו פאַרבייַטן סיליציום פֿאַר אַ נייַע דור פון נידעריק-מאַכט עלעקטראָניש דעוויסעס.

דערווייַל, די אַפּלאַקיישאַן פון VO2 מאַטעריאַלס אין אָפּטאָעלעקטראָניק דעוויסעס איז דער הויפּט אין דין פילם שטאַט, און עס איז הצלחה געווענדט אין פאַרשידן פעלדער אַזאַ ווי עלעקטראָטשראָמיק דעוויסעס, אָפּטיש סוויטשיז, מיקראָבאַטעריז, ענערגיע-שפּאָרן קאָוטינגז, קלוג פֿענצטער און מיקראָבאָלאָמעטריק דעוויסעס.די קאַנדאַקטיוו פּראָפּערטיעס פון וואַנאַדיום דייאַקסייד געבן עס אַ ברייט קייט פון פּאָטענציעל אַפּלאַקיישאַנז אין אָפּטיש דעוויסעס, עלעקטראָניש דעוויסעס און אָפּטאָעלעקטראָניק דעוויסעס.

פארוואס טאַנגסטאַן דאָפּינג?

צו נידעריקער דער פאַסע טוישןפאַסע-יבערגאַנג טעמפּעראַטור.

סטאָרידזש טנאָים:

W-VO2 פּאַודערז זאָל זיין געהאלטן געחתמעט אין אַ טרוקן, קיל סוויווע, קראָם אַוועק פון ליכט.

(DSC פון 2% W-VO2)