סיליציום נאַנאָווירעס האָבן די פאלגענדע קעראַקטעריסטיקס:
סי נאַנאָווירעס האָבן יינציק אָפּטיש פּראָפּערטיעס אַזאַ ווי פלורעסאַנס און אַלטראַווייאַליט;עלעקטריקאַל פּראָפּערטיעס אַזאַ ווי פעלד ימישאַן און עלעקטראָן אַריבערפירן;טערמאַל קאַנדאַקטיוואַטי, הויך ייבערפלאַך טעטיקייט און קוואַנטום קאַנפיינמאַנט יפעקץ.

1. אַפּפּליקאַטיאָנס פון נאַנאָ סיליציום דראָט סענסאָרס
צייכענונג אויף דעם קראַנט פאָרשונג יסוד פון סיליציום-באזירט מאַטעריאַלס און די יגזיסטינג פאָרשונג רעזולטאַטן פון נאַנאָ-סענסער צוגרייטונג, סיליציום נאַנאָ ווירעס זענען געניצט צו סינטאַסייז נאַנאָ-סענסאָרס מיט הויך סענסיטיוויטי, פאַקטיש-צייט מאָניטאָרינג און זיך-היילונג פיייקייט.

2. סיליציום נאַנאָווירע טראַנסיסטאָרס
ניצן נאַנאָ סי ווירעס ווי די הויפּט סטראַקטשעראַל אַפּאַראַט, אַ פאַרשיידנקייַט פון טראַנזיסטערז אַזאַ ווי סיליציום נאַנאָווירע FETs, איין-עלעקטראָן טראַנזיסטערז (סעטס) און פעלד-ווירקונג פאָטאָטראַנסיסטאָרס האָבן שוין פאַבריקייטיד.

3. פאָטאָדעטעקטאָר
שטודיום האָבן געוויזן אַז סיליציום נאַנאָווירעס האָבן די קעראַקטעריסטיקס פון הויך דירעקט פּאָולעראַזיישאַן סענסיטיוויטי, הויך ספּיישאַל האַכלאָטע, און גרינג קאַמפּאַטאַבילאַטי מיט אנדערע אָפּטאָעלעקטראָניק קאַמפּאָונאַנץ געמאכט דורך "דנאָ-אַרויף" מעטהאָדס, אַזוי זיי קענען זיין געוויינט אין צוקונפֿט ינאַגרייטיד נאַנאָ אָפּטאָילעקטראָניק סיסטעמען.

4. מיט נאַנאָ דראָט ליטהיום-יאָן אַנאָוד מאַטעריאַל באַטאַרייע
סיליציום איז די אַנאָוד מאַטעריאַל מיט די העכסטן טעאָרעטיש ליטהיום סטאָרידזש קאַפּאַציטעט ביז איצט, און זיין ספּעציפיש קאַפּאַציטעט איז פיל העכער ווי די פון גראַפייט מאַטעריאַלס, אָבער די פאַקטיש ליטהיום ינטערקאַליישאַן איז ענג שייַכות צו די גרייס פון די סיליציום אויף די ילעקטראָוד, די ילעקטראָוד פאָרמיוליישאַן. , און די אָפּצאָל-אָפּזאָגן קורס.די נייַע ליטהיום-יאָן באַטאַרייע געמאכט פון SiNWs קענען קראָם אַרויף צו 10 מאל מער מאַכט ווי קאַנווענשאַנאַל קריקאָנלאָדלעך באַטעריז.דער שליסל צו זייַן טעכנאָלאָגיע איז צו פֿאַרבעסערן די סטאָרידזש קאַפּאַציטעט פון די באַטאַרייע אַנאָוד.