Awọn iwọn ila opin ti silikoni carbide nanowires ni gbogbo kere ju 500nm, ati awọn ipari le de ọdọ ogogorun ti μm, eyi ti o ni kan ti o ga aspect ratio ju ohun alumọni carbide whiskers.

Silicon carbide nanowires jogun ọpọlọpọ awọn ohun-ini ẹrọ ti ohun elo olopobobo ohun alumọni carbide ati tun ni ọpọlọpọ awọn ohun-ini alailẹgbẹ si awọn ohun elo iwọn-kekere. Ni imọ-jinlẹ, modulus ọdọ ti SiCNW kan ṣoṣo jẹ nipa 610 ~ 660GPa; agbara atunse le de ọdọ 53.4GPa, eyiti o jẹ bii ilọpo meji ti awọn whiskers SiC; agbara fifẹ kọja 14GPa.

Ni afikun, niwọn bi SiC funrararẹ jẹ ohun elo bandgap aiṣe-taara, arinbo elekitironi ga. Pẹlupẹlu, nitori iwọn iwọn nano rẹ, SiC nanowires ni ipa iwọn kekere ati pe o le ṣee lo bi ohun elo luminescent; ni akoko kanna, SiC-NWs tun ṣafihan awọn ipa kuatomu ati pe o le ṣee lo bi ohun elo catalytic semikondokito. Awọn onirin carbide silikoni Nano ni agbara ohun elo ni awọn aaye ti itujade aaye, imuduro ati awọn ohun elo toughing, supercapacitors, ati awọn ẹrọ gbigba igbi itanna.

Ni aaye itujade aaye, nitori awọn okun waya nano SiC ni adaṣe igbona ti o dara julọ, iwọn aafo aafo ti o tobi ju 2.3 eV, ati iṣẹ itujade aaye ti o dara julọ, wọn le ṣee lo ni awọn eerun iyika iṣọpọ, awọn ẹrọ microelectronic igbale, ati bẹbẹ lọ.
Silicon carbide nanowires ti lo bi awọn ohun elo ayase. Pẹlu jinlẹ ti iwadii, wọn ti wa ni lilo diẹdiẹ ni catalysis photochemical. Awọn adanwo wa ni lilo ohun alumọni carbide nanowires lati ṣe awọn adanwo oṣuwọn catalytic lori acetaldehyde, ati ṣe afiwe akoko jijẹ acetaldehyde nipa lilo awọn egungun ultraviolet. O jẹri pe silikoni carbide nanowires ni awọn ohun-ini photocatalytic to dara.

Niwọn igba ti SiC nanowires le ṣe agbegbe nla ti eto-ilọpo meji, o ni iṣẹ ibi ipamọ agbara elekitirokemi ti o dara julọ ati pe o ti lo ni awọn agbara agbara.